半導體化合物光電器件檢測簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

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內容簡(jiǎn)介:本系列叢書(shū)共分《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件制備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部。從ⅢA～ⅤA族半導體化合物的基本原理、光電器件制備與工藝，以及器件性能檢測等方面，較系統地介紹了相關(guān)基礎知識，適合材料，物理化學(xué)，光學(xué)，微電子學(xué)與固體電子學(xué)等專(zhuān)業(yè)的本科和研究生以及工程技術(shù)人員和企業(yè)相關(guān)人員閱讀。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:第1章透射電子顯微鏡1
11透射電子顯微鏡的結構與成像原理2
111電磁透鏡3
112照明系統5
113成像系統8
114觀(guān)察記錄、真空與供電系統10
115主要部件的結構和工作原理11
116目前常用電鏡的生產(chǎn)廠(chǎng)家、型號及性能13
12TEM樣品制備技術(shù)15
121概述15
122非金屬材料薄膜樣品的制備17
13透射電子顯微鏡電子的成像原理20
131成像操作21
132高分辨電子顯微像25
133電子衍射譜30
134電子衍射花樣的標定42
14透射電子顯微鏡在LED方面的應用45
141高分辨透射電子顯微像及選區電子衍射花樣成像46
142界面的失配位錯、堆垛層錯46
143明場(chǎng)像47
參考文獻48
第2章掃描電子顯微鏡49
21掃描電子顯微鏡50
211電子光學(xué)系統50
212信號檢測放大系統51
213顯示系統52
214真空系統52
215電源系統52
22掃描電子顯微鏡成像原理53
221掃描電子顯微鏡中的信號種類(lèi)53
222掃描電子顯微鏡的成像原理56
223掃描電子顯微鏡像形成襯度原理57
224掃描電子顯微鏡的主要性能63
23掃描電子顯微鏡的樣品制備66
24掃描電子顯微鏡的性能和特點(diǎn)66
25掃描電子顯微鏡的能譜儀67
26掃描電子顯微鏡在LED中的應用67
參考文獻70
第3章原子力顯微鏡71
31原子力顯微鏡的主要構件71
32原子力顯微鏡的結構73
321力檢測部分73
322位置檢測部分73
323反饋系統73
33原子力顯微鏡的原理及工作模式74
331原子力顯微鏡的原理74
332原子力顯微鏡的工作模式76
34原子力顯微鏡的分辨率79
35原子力顯微鏡的工作環(huán)境80
36激光檢測原子力顯微鏡81
37原子力顯微鏡的功能81
38原子力顯微鏡樣品的要求82
39原子力顯微鏡在LED方面的應用82
參考文獻85
第4章薄膜X射線(xiàn)衍射87
41X射線(xiàn)衍射基本理論87
411發(fā)展和特點(diǎn)87
412X射線(xiàn)的產(chǎn)生88
413X射線(xiàn)譜89
414X射線(xiàn)衍射原理90
415X射線(xiàn)衍射實(shí)驗98
416X射線(xiàn)衍射分析基本應用105
42薄膜X射線(xiàn)衍射108
421原理109
422應用實(shí)例130
43D8DISCOVER型高分辨X射線(xiàn)衍射儀143
431儀器構造和原理144
432儀器功能與操作150
參考文獻161
第5章光致發(fā)光和電致發(fā)光162
51光致發(fā)光的理論基礎163
511光致發(fā)光基本概念163
512輻射發(fā)光壽命和效率164
513半導體材料中的輻射復合166
514光致熒光譜173
52光致發(fā)光測試系統和樣品180
521系統工作原理和構造180
522測試樣品182
523光譜校正182
53光致熒光譜測試的應用和實(shí)例183
531雜質(zhì)及其濃度的測量183
532化合物組分的測量185
533成分均勻性的測量185
534位錯的測量和表征186
535晶體質(zhì)量的表征187
536納米半導體材料的測量188
54電致發(fā)光191
541電致發(fā)光的激發(fā)條件191
542光譜的測量192
55發(fā)光效率及其測量方法192
551光致發(fā)光材料的發(fā)光效率以及測量方法192
552電致發(fā)光效率的測量195
參考文獻197
第6章霍爾效應199
61基本理論199
611霍爾效應的基本原理199
612范德堡測試技術(shù)202
62霍爾效應的測試系統203
621霍爾效應測試儀的結構203
622霍爾效應儀的靈敏度205
63霍爾效應測試205
631霍爾效應測試的樣品要求205
632霍爾效應測試的測準條件207
633霍爾效應測試步驟208
64霍爾效應測試的應用和實(shí)例209
641硅的雜質(zhì)補償度測量209
642ZnO的載流子濃度、遷移率和補償度測量211
643硅超淺結中載流子濃度的深度分布測量212
參考文獻214
第7章LED光電性能測試215
71LED發(fā)光器件基本參數215
711LED發(fā)光器件的光度學(xué)參數215
712LED發(fā)光器件色度學(xué)參數217
713LED發(fā)光器件的電性參數221
72LED外延片的測試223
721光致發(fā)光譜測試223
722電致發(fā)光譜測試226
73LED芯片的測試229
731光學(xué)參數測試229
732色度參數測量238
733電學(xué)性能測試242
734測量結果及分析248
參考文獻249
第8章太陽(yáng)電池測試250
81太陽(yáng)模擬器250
811概述250
812太陽(yáng)輻射的基本特性250
82單體太陽(yáng)電池測試251
821測試項目252
822電性能測試的一般規定252
823測量?jì)x器與裝置252
824基本測試方法253
825從非標準測試條件換算到標準測試條件253
826室外陽(yáng)光下測試253
827太陽(yáng)電池內部串聯(lián)電阻的測量254
828太陽(yáng)電池電流和電壓溫度系數的測量254
83非晶硅太陽(yáng)電池電性能測試須知255
831校準輻照度255
832光源255
833光譜響應255
84太陽(yáng)電流組件測試和環(huán)境試驗方法255
841測試項目255
842組件電性能參數測量中所需的參考組件255
843太陽(yáng)電池組件測試方法256
85地面用硅太陽(yáng)電池組件環(huán)境試驗概況256
851溫度交變257
852高溫貯存257
853低溫貯存257
854恒定濕熱貯存257
855振動(dòng)、沖擊257
856鹽霧試驗257
857冰雹試驗257
858地面太陽(yáng)光輻照試驗257
859扭彎試驗258
參考文獻258