直拉單晶硅工藝技術(shù)(黃有志)（第二版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2020-05-18 17:38
來(lái)源：京東
作者：京東
直拉單晶硅工藝技術(shù)(黃有志)（第二版）
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內容簡(jiǎn)介:本書(shū)主要內容包括單晶爐的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統及熱場(chǎng)、晶體生長(cháng)控制器、原輔材料的準備、直拉單晶硅生長(cháng)技術(shù)、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術(shù)等內容。
本書(shū)可作為各類(lèi)院校太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術(shù)專(zhuān)業(yè)、新能源專(zhuān)業(yè)的教材，也可作為單晶硅生產(chǎn)企業(yè)的員工培訓教材，還可作為相關(guān)專(zhuān)業(yè)工程技術(shù)人員的參考書(shū)。
本書(shū)可作為各類(lèi)院校太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術(shù)專(zhuān)業(yè)、新能源專(zhuān)業(yè)的教材，也可作為單晶硅生產(chǎn)企業(yè)的員工培訓教材，還可作為相關(guān)專(zhuān)業(yè)工程技術(shù)人員的參考書(shū)。
作者簡(jiǎn)介:
目錄:緒論1
第1章單晶硅的基本知識3
1.1晶體和非晶體3
1.2單晶和多晶7
1.3空間點(diǎn)陣和晶胞8
1.4晶面和晶向11
1.5晶體的熔化和凝固15
1.6結晶過(guò)程的宏觀(guān)特征16
1.7晶核的形成17
1.8二維晶核的形成18
1.9晶體的長(cháng)大19
1.10生長(cháng)界面結構模型21
習題23
第2章直拉單晶爐25
2.1直拉單晶爐設備簡(jiǎn)介25
2.2直拉單晶爐的結構26
2.3機械部分27
2.4電氣部分35
2.5直拉單晶爐的工作環(huán)境40
習題41
第3章直拉單晶爐的熱系統及熱場(chǎng)43
3.1熱系統43
3.2熱系統的安裝與對中46
3.3熱場(chǎng)47
3.4溫度梯度與單晶生長(cháng)47
3.5熱場(chǎng)的調整51
習題52
第4章晶體生長(cháng)控制器54
4.1CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器功能簡(jiǎn)介54
4.2CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器的開(kāi)關(guān)狀態(tài)說(shuō)明55
4.3CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器的鍵盤(pán)操作說(shuō)明56
4.4CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器參數設置及定義61
4.5CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器使用說(shuō)明64
習題65
第5章原輔材料的準備67
5.1硅原料67
5.2石英坩堝72
5.3摻雜劑與母合金74
5.4其他材料75
5.5原輔材料的腐蝕和清洗76
5.6腐蝕原理及安全防護77
5.7自動(dòng)硅料清洗機簡(jiǎn)介78
習題80
第6章直拉單晶硅生長(cháng)技術(shù)81
6.1直拉單晶硅工藝流程81
6.2拆爐及裝料82
6.3抽空及熔料86
6.4引晶及放肩88
6.5轉肩及等徑91
6.6收尾及停爐93
6.7拉速、溫校曲線(xiàn)的設定95
6.8堝升速度的計算方法97
6.9異常情況及處理方法99
習題101
第7章鑄錠多晶硅工藝102
7.1光伏產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)介102
7.2鑄錠多晶硅爐的結構103
7.3鑄錠多晶硅工藝流程105
7.4鑄錠多晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)108
習題109
第8章?lián)诫s技術(shù)110
8.1雜質(zhì)110
8.2導電型號111
8.3熔硅中的雜質(zhì)效應111
8.4雜質(zhì)的分凝效應113
8.5Keff與K0的關(guān)系117
8.6結晶后固相中的雜質(zhì)分布規律118
8.7摻雜121
習題125
附錄1硅的物理化學(xué)性質(zhì)（300K）126
附錄2硅中雜質(zhì)濃度和電阻率關(guān)系127
附錄3元素周期表128
附錄4立方晶系各晶面（或晶向）間的夾角129
附錄5塵室的分級標準130
參考文獻131
第1章單晶硅的基本知識3
1.1晶體和非晶體3
1.2單晶和多晶7
1.3空間點(diǎn)陣和晶胞8
1.4晶面和晶向11
1.5晶體的熔化和凝固15
1.6結晶過(guò)程的宏觀(guān)特征16
1.7晶核的形成17
1.8二維晶核的形成18
1.9晶體的長(cháng)大19
1.10生長(cháng)界面結構模型21
習題23
第2章直拉單晶爐25
2.1直拉單晶爐設備簡(jiǎn)介25
2.2直拉單晶爐的結構26
2.3機械部分27
2.4電氣部分35
2.5直拉單晶爐的工作環(huán)境40
習題41
第3章直拉單晶爐的熱系統及熱場(chǎng)43
3.1熱系統43
3.2熱系統的安裝與對中46
3.3熱場(chǎng)47
3.4溫度梯度與單晶生長(cháng)47
3.5熱場(chǎng)的調整51
習題52
第4章晶體生長(cháng)控制器54
4.1CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器功能簡(jiǎn)介54
4.2CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器的開(kāi)關(guān)狀態(tài)說(shuō)明55
4.3CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器的鍵盤(pán)操作說(shuō)明56
4.4CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器參數設置及定義61
4.5CGC-101A型晶體生長(cháng)控制器使用說(shuō)明64
習題65
第5章原輔材料的準備67
5.1硅原料67
5.2石英坩堝72
5.3摻雜劑與母合金74
5.4其他材料75
5.5原輔材料的腐蝕和清洗76
5.6腐蝕原理及安全防護77
5.7自動(dòng)硅料清洗機簡(jiǎn)介78
習題80
第6章直拉單晶硅生長(cháng)技術(shù)81
6.1直拉單晶硅工藝流程81
6.2拆爐及裝料82
6.3抽空及熔料86
6.4引晶及放肩88
6.5轉肩及等徑91
6.6收尾及停爐93
6.7拉速、溫校曲線(xiàn)的設定95
6.8堝升速度的計算方法97
6.9異常情況及處理方法99
習題101
第7章鑄錠多晶硅工藝102
7.1光伏產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)介102
7.2鑄錠多晶硅爐的結構103
7.3鑄錠多晶硅工藝流程105
7.4鑄錠多晶硅的優(yōu)缺點(diǎn)108
習題109
第8章?lián)诫s技術(shù)110
8.1雜質(zhì)110
8.2導電型號111
8.3熔硅中的雜質(zhì)效應111
8.4雜質(zhì)的分凝效應113
8.5Keff與K0的關(guān)系117
8.6結晶后固相中的雜質(zhì)分布規律118
8.7摻雜121
習題125
附錄1硅的物理化學(xué)性質(zhì)（300K）126
附錄2硅中雜質(zhì)濃度和電阻率關(guān)系127
附錄3元素周期表128
附錄4立方晶系各晶面（或晶向）間的夾角129
附錄5塵室的分級標準130
參考文獻131
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