高等學(xué)校工科電子類(lèi)規劃教材：半導體物理學(xué)（第4版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2019-12-26 20:08
來(lái)源：京東
作者：京東
高等學(xué)校工科電子類(lèi)規劃教材：半導體物理學(xué)（第4版）
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內容簡(jiǎn)介: 《半導體物理學(xué)（第4版）》全面地論述了半導體物理的基礎知識，內容包括半導體的晶格結構、半導體中的電子狀態(tài)、雜質(zhì)和缺陷能級、載流子的統計分布、非平衡載流子及載流子的運動(dòng)規律；討論了p-n結、異質(zhì)結、金屬半導體接觸、表面及MIS結構等半導體表面和界面問(wèn)題；介紹了半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象；最后較全面地介紹了非晶態(tài)半導體的基本特性。
《半導體物理學(xué)（第4版）》為高等學(xué)校工科電子類(lèi)半導體器件與微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)教材，亦可供從事半導體方面工作的技術(shù)人員閱讀參考。
《半導體物理學(xué)（第4版）》為高等學(xué)校工科電子類(lèi)半導體器件與微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)教材，亦可供從事半導體方面工作的技術(shù)人員閱讀參考。
目錄:主要參數符號表
第1章 半導體中的電子狀態(tài)
1.1 半導體的晶格結構和結合性質(zhì)
1.2 半導體中的電子狀態(tài)和能帶
1.3 半導體中電子的運動(dòng) 有效質(zhì)量
1.4 本征半導體的導電機構 空穴
1.5 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結構
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構
習題
參考文獻
第2章 半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
2.3 缺陷、位錯能級
習題
參考文獻
第3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 狀態(tài)密度
3.2 費米能級和載流子的統計分布
3.3 本征半導體的載流子濃度
3.4 雜質(zhì)半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統計分布
3.6 簡(jiǎn)并半導體
補充材料：電子占據雜質(zhì)能級的概率
習題
參考文獻
第4章 半導體的導電性
4.1 載流子的漂移運動(dòng) 遷移率
4.2 載流子的散射
4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.5 玻耳茲曼方程 電導率的統計理論
4.6 強電場(chǎng)下的效應 熱載流子
4.7 多能谷散射 耿氏效應
習題
參考文獻
第5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子的注入與復合
5.2 非平衡載流子的壽命
5.3 準費米能級
5.4 復合理論
5.5 陷阱效應
5.6 載流子的擴散運動(dòng)
5.7 載流子的漂移運動(dòng) 愛(ài)因斯坦關(guān)系式
5.8 連續性方程式
習題
參考文獻
第6章 p-n結
6.1 p-n結及其能帶圖
6.2 p-n結電流電壓特性
6.3 p-n結電容
6.4 p-n結擊穿
6.5 p-n結隧道效應
習題
參考文獻
第7章 金屬和半導體的接觸
7.1 金屬半導體接觸及其能級圖
7.2 金屬半導體接觸整流理論
7.3 少數載流子的注入和歐姆接觸
習題
參考文獻
第8章 半導體表面與MIS結構
8.1 表面態(tài)
8.2 表面電場(chǎng)效應
8.3 MIS結構的電容-電壓特性
8.4 硅-二氧化硅系統的性質(zhì)
8.5 表面電導及遷移率
8.6 表面電場(chǎng)對p-n結特性的影響
習題
參考文獻
第9章 異質(zhì)結
9.1 異質(zhì)結及其能帶圖
9.2 異質(zhì)結的電流輸運機構
9.3 異質(zhì)結在器件中的應用
9.4 半導體超晶格
習題
參考文獻
第10章 半導體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現象
10.1 半導體的光學(xué)常數
10.2 半導體的光吸收
10.3 半導體的光電導
10.4 半導體的光生伏特效應
10.5半導體發(fā)光
10.6半導體激光
習題
參考文獻
第11章 半導體的熱電性質(zhì)
11.1 熱電效應的一般描述
11.2 半導體的溫差電動(dòng)勢率
11.3 半導體的珀耳貼效應
11.4 半導體的湯姆孫效應
11.5 半導體的熱導率
11.6 半導體熱電效應的應用
習題
參考文獻
第12章 半導體磁和壓阻效應
12.1 霍耳效應
12.2 磁阻效應
12.3 磁光效應
12.4 量子化霍耳效應
12.5 熱磁效應
12.6 光磁電效應
12.7 壓阻效應
12.8 聲波和載流子的相互作用
習題
參考文獻
第13章 非晶態(tài)半導體
13.1 非晶態(tài)半導體的結構
13.2 非晶態(tài)半導體中的電子態(tài)
13.3 非晶態(tài)半導體中的缺陷、隙態(tài)與摻雜效應
13.4 非晶態(tài)半導體中的電學(xué)性質(zhì)
13.5 非晶態(tài)半導體中的光學(xué)性質(zhì)
13.6 α-Si：H的p-n結與金-半接觸特性
參考文獻
附錄
附錄1 常用物理常數和能量表達變換表
附表1-1 常用物理常數表
附表1-2 能量表達變換表
附錄2 半導體材料物理性質(zhì)表
附表2-1 Ⅳ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半導體材料的性質(zhì)
參考文獻
第1章 半導體中的電子狀態(tài)
1.1 半導體的晶格結構和結合性質(zhì)
1.2 半導體中的電子狀態(tài)和能帶
1.3 半導體中電子的運動(dòng) 有效質(zhì)量
1.4 本征半導體的導電機構 空穴
1.5 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結構
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構
習題
參考文獻
第2章 半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
2.3 缺陷、位錯能級
習題
參考文獻
第3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 狀態(tài)密度
3.2 費米能級和載流子的統計分布
3.3 本征半導體的載流子濃度
3.4 雜質(zhì)半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統計分布
3.6 簡(jiǎn)并半導體
補充材料：電子占據雜質(zhì)能級的概率
習題
參考文獻
第4章 半導體的導電性
4.1 載流子的漂移運動(dòng) 遷移率
4.2 載流子的散射
4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.5 玻耳茲曼方程 電導率的統計理論
4.6 強電場(chǎng)下的效應 熱載流子
4.7 多能谷散射 耿氏效應
習題
參考文獻
第5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子的注入與復合
5.2 非平衡載流子的壽命
5.3 準費米能級
5.4 復合理論
5.5 陷阱效應
5.6 載流子的擴散運動(dòng)
5.7 載流子的漂移運動(dòng) 愛(ài)因斯坦關(guān)系式
5.8 連續性方程式
習題
參考文獻
第6章 p-n結
6.1 p-n結及其能帶圖
6.2 p-n結電流電壓特性
6.3 p-n結電容
6.4 p-n結擊穿
6.5 p-n結隧道效應
習題
參考文獻
第7章 金屬和半導體的接觸
7.1 金屬半導體接觸及其能級圖
7.2 金屬半導體接觸整流理論
7.3 少數載流子的注入和歐姆接觸
習題
參考文獻
第8章 半導體表面與MIS結構
8.1 表面態(tài)
8.2 表面電場(chǎng)效應
8.3 MIS結構的電容-電壓特性
8.4 硅-二氧化硅系統的性質(zhì)
8.5 表面電導及遷移率
8.6 表面電場(chǎng)對p-n結特性的影響
習題
參考文獻
第9章 異質(zhì)結
9.1 異質(zhì)結及其能帶圖
9.2 異質(zhì)結的電流輸運機構
9.3 異質(zhì)結在器件中的應用
9.4 半導體超晶格
習題
參考文獻
第10章 半導體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現象
10.1 半導體的光學(xué)常數
10.2 半導體的光吸收
10.3 半導體的光電導
10.4 半導體的光生伏特效應
10.5半導體發(fā)光
10.6半導體激光
習題
參考文獻
第11章 半導體的熱電性質(zhì)
11.1 熱電效應的一般描述
11.2 半導體的溫差電動(dòng)勢率
11.3 半導體的珀耳貼效應
11.4 半導體的湯姆孫效應
11.5 半導體的熱導率
11.6 半導體熱電效應的應用
習題
參考文獻
第12章 半導體磁和壓阻效應
12.1 霍耳效應
12.2 磁阻效應
12.3 磁光效應
12.4 量子化霍耳效應
12.5 熱磁效應
12.6 光磁電效應
12.7 壓阻效應
12.8 聲波和載流子的相互作用
習題
參考文獻
第13章 非晶態(tài)半導體
13.1 非晶態(tài)半導體的結構
13.2 非晶態(tài)半導體中的電子態(tài)
13.3 非晶態(tài)半導體中的缺陷、隙態(tài)與摻雜效應
13.4 非晶態(tài)半導體中的電學(xué)性質(zhì)
13.5 非晶態(tài)半導體中的光學(xué)性質(zhì)
13.6 α-Si：H的p-n結與金-半接觸特性
參考文獻
附錄
附錄1 常用物理常數和能量表達變換表
附表1-1 常用物理常數表
附表1-2 能量表達變換表
附錄2 半導體材料物理性質(zhì)表
附表2-1 Ⅳ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半導體材料的性質(zhì)
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半導體材料的性質(zhì)
參考文獻
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