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    國外電子與通信教材系列:微電子電路設計(第4版)簡(jiǎn)介,目錄書(shū)摘

    2019-11-08 17:10 來(lái)源:京東 作者:京東
    國外教材
    國外電子與通信教材系列:微電子電路設計(第4版)
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    內容簡(jiǎn)介:  《國外電子與通信教材系列:微電子電路設計(第4版)》涵蓋了微電子電路設計所需基礎知識,主要由三個(gè)部分組成。第一部分介紹固態(tài)電子學(xué)與器件,討論了電子學(xué)的發(fā)展與電路分析方法和微電子器件的工作原理、IV特性及SPICE模型等。第二部分為數字電路,包括數字電路的基本概念和CMOS電路、存儲電路、ECL與TTL等雙極型邏輯電路以及BiCMOS電路。第三部分為模擬電路,以理想運算放大器和SPICE仿真為基礎介紹了不同結構運算放大器的相關(guān)特性、小信號模型、具體分析方法和集成設計技術(shù),最后討論了放大器的頻率響應、反饋和振蕩器等問(wèn)題。
      通過(guò)學(xué)習本書(shū)可以了解現代微電子電路設計,包括模擬與數字,分立與集成,了解內部結構也有利于系統設計中對集成電路的適當選擇。
    作者簡(jiǎn)介:
    目錄:第一部分 固態(tài)電子學(xué)與器件
    第1章 電子學(xué)簡(jiǎn)介
    1.1 電子學(xué)發(fā)展簡(jiǎn)史:真空管到甚大規模集成電路
    1.2 電學(xué)信號分類(lèi)
    1.3 符號約定
    1.4 問(wèn)題解決方法
    1.5 電路理論的重要概念
    1.6 電學(xué)信號頻譜
    1.7 放大器
    1.8 電路設計中的元器件參數值變化
    1.9 數值精度
    小結
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    習題

    第2章 固態(tài)電子學(xué)
    2.1 固態(tài)電子材料
    2.2 共價(jià)鍵模型
    2.3 半導體中的漂移電流和遷移率
    2.4 本征硅的電阻率
    2.5 半導體中的雜質(zhì)
    2.6 摻雜半導體中的電子和空穴濃度
    2.7 摻雜半導體的遷移率和電阻率
    2.8 擴散電流
    2.9 總電流
    2.10 能帶模型
    2.11 集成電路制造概述
    小結
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    重要公式
    習題

    第3章 固態(tài)二極管以及二極管電路
    3.1 PN結二極管
    3.2 二極管的iv特性
    3.3 二極管方程:二極管的數學(xué)模型
    3.4 反偏、零偏、正偏下的二極管特性
    3.5 二極管的溫度系數
    3.6 反偏下的二極管
    3.7 PN結電容
    3.8 肖特基勢壘二極管
    3.9 二極管的SPICE模型及版圖
    3.10 二極管電路分析
    3.11 多二極管電路
    3.12 二極管處于擊穿區的工作情況分析
    3.13 半波整流電路
    3.14 全波整流電路
    3.15 全波橋式整流
    3.16 整流器比較及設計折中
    3.17 二極管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)行為
    3.18 光電二極管, 太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管
    小結
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    習題

    第4章 場(chǎng)效應晶體管
    4.1 MOS電容特性
    4.2 NMOS晶體管
    4.3 PMOS晶體管
    4.4 MOSFET電路模型
    4.5 MOS晶體管的電容
    4.6 MOSFET的SPICE模型
    4.7 MOS晶體管按比例縮小
    4.8 MOS晶體管的制作及版圖設計規則
    4.9 NMOS場(chǎng)效應晶體管的偏置
    4.10 PMOS場(chǎng)效應晶體管的偏置
    4.11 結型場(chǎng)效應管(JFET)
    4.12 JFET的SPICE模型
    4.13 JFET和耗盡型MOSFET的偏置
    小結
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    習題

    第5章 雙極結型晶體管
    5.1 雙極型晶體管的物理結構
    5.2 NPN晶體管的傳輸模型
    5.3 PNP晶體管
    5.4 晶體管模型的等效電路
    5.5 雙極型晶體管的iv特性
    5.6 雙極型晶體管的工作區
    5.7 簡(jiǎn)化傳輸模型
    5.8 雙極型晶體管的非線(xiàn)性行為
    5.9 跨導
    5.10 雙極工藝和SPICE模型
    5.11 BJT的實(shí)際偏置電路
    5.12 偏置電路的容差
    小結
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    習題

    第二部分 數字電子電路
    第6章 數字電子電路簡(jiǎn)介
    6.1 理想邏輯門(mén)
    6.2 邏輯電平定義和噪聲容限
    6.3 邏輯門(mén)的動(dòng)態(tài)響應
    6.4 復習布爾代數
    6.5 NMOS邏輯設計
    6.6 晶體管替代負載電阻方案
    6.7 NMOS反相器小結與比較
    6.8 NMOS與非門(mén)及或非門(mén)
    6.9 復雜NMOS邏輯設計
    6.10 功耗
    6.11 MOS邏輯門(mén)的動(dòng)態(tài)特性
    6.12 PMOS邏輯
    小結
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    習題

    第7章 CMOS邏輯電路設計
    7.1 CMOS反相器工藝
    7.2 CMOS反相器的靜態(tài)特性
    7.3 CMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性
    7.4 CMOS中的功耗和功耗延遲積
    7.5 CMOS或非門(mén)和與非門(mén)
    7.6 CMOS中復雜門(mén)的設計
    7.7 最小尺寸邏輯門(mén)的設計及性能
    7.8 動(dòng)態(tài)多米諾CMOS邏輯
    7.9 級聯(lián)緩沖器
    7.10 CMOS傳輸門(mén)
    7.11 CMOS閂鎖
    小結
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    習題

    第8章 MOS存儲器及存儲電路
    8.1 隨機存取存儲器
    8.2 靜態(tài)存儲器單元
    8.3 動(dòng)態(tài)存儲單元
    8.4 敏感放大器
    8.5 地址譯碼器
    8.6 只讀存儲器(ROM)
    8.7 觸發(fā)器
    小結
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    習題

    第9章 雙極型邏輯電路
    9.1 電流開(kāi)關(guān)(發(fā)射極耦合對)
    9.2 發(fā)射極耦合邏輯(ECL)門(mén)
    9.3 ECL門(mén)的噪聲容限分析
    9.4 電流源的實(shí)現
    9.5 ECL或或非門(mén)
    9.6 射極跟隨器
    9.7 “射極點(diǎn)”或“線(xiàn)或”邏輯
    9.8 ECL功率-延遲特性
    9.9 電流模式邏輯(CML)
    9.10 飽和雙極型反相器
    9.11 晶體管晶體管邏輯(TTL)邏輯
    9.12 標準7400系列TTL反相器
    9.13 TTL中的邏輯函數
    9.14 肖特基鉗位TTL
    9.15 ECL和TTL的功率延遲對比
    9.16 BiCMOS邏輯
    小結
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    習題

    第三部分 模擬電子電路
    第10章 模擬系統和理想運算放大器
    10.1 一個(gè)模擬電子系統實(shí)例
    10.2 放大作用
    10.3 放大器的二端口模型
    10.4 失配的源和負載電阻
    10.5 運算放大器簡(jiǎn)介
    10.6 放大器的失真
    10.7 差分放大器模型
    10.8 理想差分放大器和運算放大器
    10.9 理想集成運算放大器分析
    10.10 反饋的頻率特性
    小結
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    習題

    第11章 非線(xiàn)性運算放大器和反饋放大器的穩定性
    11.1 經(jīng)典的反饋系統
    11.2 對包含非理想運算放大器電路的分析
    11.3 串聯(lián)和并聯(lián)反饋電路
    11.4 反饋放大器增益計算的統一方法
    11.5 電壓串聯(lián)反饋——電壓放大器
    11.6 電壓并聯(lián)反饋放大器——跨阻放大器
    11.7 跨導放大器——電流串聯(lián)反饋放大器
    11.8 電流放大器——電流并聯(lián)反饋放大器
    11.9 使用持續電壓電流注入法計算回路增益
    11.10 利用反饋減小失真
    11.11 直流誤差源和輸出擺幅限制
    11.12 共模抑制比和輸入電阻
    11.13 運算放大器的頻率響應和帶寬
    11.14 反饋放大器的穩定性
    小結
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    習題

    第12章 運算放大器應用
    12.1 級聯(lián)放大器
    12.2 儀表放大器
    12.3 有源濾波器
    12.4 開(kāi)關(guān)電容電路
    12.5 數/模轉換
    12.6 模/數轉換
    12.7 振蕩器
    12.8 非線(xiàn)性電路應用
    12.9 含正反饋的電路
    小結
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    習題

    第13章 小信號建模與線(xiàn)性放大
    13.1 晶體管放大器
    13.2 耦合電容和旁路電容
    13.3 用直流和交流等效電路進(jìn)行電路分析
    13.4 小信號模型簡(jiǎn)介
    13.5 雙極型晶體管的小信號模型
    13.6 共射極放大器
    13.7 重要限制及模型簡(jiǎn)化
    13.8 場(chǎng)效應晶體管的小信號模型
    13.9 BJT和FET小信號模型的小結與對比
    13.10 共源極放大器
    13.11 共射極放大器和共源極放大器小結
    13.12 放大器功率和信號范圍
    小結
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    習題

    第14章 單晶體管放大器
    14.1 放大器類(lèi)型
    14.2 反相放大器——共發(fā)射極和共源極電路
    14.3 跟隨器電路——共集電極和共漏極放大器
    14.4 同相放大器——共基極和共柵極電路
    14.5 放大器原型回顧和比較
    14.6 采用MOS反相器的共源極放大器
    14.7 耦合和旁路電容設計
    14.8 放大器設計實(shí)例
    14.9 多級交流耦合放大器
    小結
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    習題

    第15章 差分放大器和運算放大器設計
    15.1 差分放大器
    15.2 基本運算放大器的進(jìn)化
    15.3 輸出級
    15.4 電子電流源
    小結
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    習題

    第16章 模擬集成電路設計技術(shù)
    16.1 電路元件匹配
    16.2 電流鏡
    16.3 高輸出電阻電流鏡
    16.4 參考電流的產(chǎn)生
    16.5 與電源電壓無(wú)關(guān)的偏置
    16.6 帶隙基準源
    16.7 電流鏡作為有源負載
    16.8 運算放大器中的有源負載
    16.9 μA741運算放大器
    16.10 Gilbert模擬乘法器
    小結
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    習題

    第17章 放大器頻率響應
    17.1 放大器頻率響應
    17.2 直接確定低頻極點(diǎn)和零點(diǎn)——共源放大器
    17.3 用短路時(shí)間常數法估算ωL的值
    17.4 高頻晶體管模型
    17.5 混合  模型中的基區電阻
    17.6 共發(fā)射極和共源極放大器的高頻響應
    17.7 共基極和共柵極放大器的高頻響應
    17.8 共集電極和共漏極放大器的高頻響應
    17.9 單級放大器高頻響應小結
    17.10 多級放大器的頻率響應
    17.11 射頻電路介紹
    17.12 混頻器和平衡調制器
    小結
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    習題

    第18章 晶體管反饋放大器與振蕩器
    18.1 基本反饋系統回顧
    18.2 中頻帶反饋放大器分析
    18.3 反饋放大器電路舉例
    18.4 反饋放大器穩定性回顧
    18.5 單極點(diǎn)運算放大器補償
    18.6 高頻振蕩器
    小結
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    參考文獻
    習題

    附錄A 標準分立元件值
    附錄B 固態(tài)器件模型及SPICE仿真參數
    附錄C 二端口回顧
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