半導體器件物理（第2版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

內容簡(jiǎn)介:本書(shū)由淺入深、系統地介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理和工作特性。為便于讀者自學(xué)和參考，本書(shū)首先介紹了學(xué)習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識；然后重點(diǎn)論述了PN結、雙極型晶體管、MOS場(chǎng)效應管和結型場(chǎng)效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數和器件幾何結構參數的關(guān)系；最后簡(jiǎn)要講述了功率MOSFET、IGBT和光電器件等其他常用半導體器件的原理及應用。

作者簡(jiǎn)介:劉樹(shù)林：博士，西安科技大學(xué)教授、博士生導師，四川大學(xué)半導體物理專(zhuān)業(yè)本科畢業(yè)，航天部西安微電子研究所碩士、博士畢業(yè)。先后在西安電力電子研究所、中興通訊股份有限公司、西安科技大學(xué)從事科研和教學(xué)工作?，F任西安科技大學(xué)電氣與控制工程學(xué)院副院長(cháng)、“電力電子電路與系統科研創(chuàng )新團隊”負責人、礦山機電工程博士點(diǎn)學(xué)科帶頭人、微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科帶頭人等。

目錄:第1章 半導體物理基礎 （1）
1．1 半導體晶體結構和缺陷 （1）
1．1．1 半導體的晶體結構 （1）
1．1．2 晶體的晶向與晶面 （3）
1．1．3 半導體中的缺陷 （4）
1．2 半導體的能帶與雜質(zhì)能級 （6）
1．2．1 半導體中電子共有化運動(dòng)與能帶 （6）
1．2．2 半導體中的E(k)~k關(guān)系、有效質(zhì)量和k空間等能面 （11）
1．2．3 Si、Ge的能帶結構及本征半導體 （14）
1．2．4 雜質(zhì)半導體 （15）
1．3 半導體中的平衡與非平衡載流子 （19）
1．3．1 導帶電子濃度與價(jià)帶空穴濃度 （19）
1．3．2 本征載流子濃度與本征費米能級 （22）
1．3．3 雜質(zhì)半導體的載流子濃度 （24）
1．3．4 簡(jiǎn)并半導體及其載流子濃度 （28）
1．3．5 非平衡載流子的產(chǎn)生與復合及準費米能級 （30）
1．3．6 非平衡載流子的壽命與復合理論 （32）
1．4 半導體中載流子的輸運現象 （35）
1．4．1 載流子的漂移運動(dòng)與遷移率 （35）
1．4．2 半導體中的主要散射機構及遷移率與平均自由時(shí)間的關(guān)系 （37）
1．4．3 半導體的遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系 （40）
1．4．4 載流子的擴散運動(dòng)及愛(ài)因斯坦關(guān)系 （43）
1．4．5 連續性方程 （45）
1．5 半導體表面 （46）
1．5．1 半導體表面和表面能級 （46）
1．5．2 Si-SiO2系統中的表面態(tài)與表面處理 （47）
1．5．3 表面能帶彎曲與反型 （49）
1．5．4 表面復合 （50）
思考題和練習題 （50）
第2章 PN結 （52）
2．1 平衡PN結 （52）
2．1．1 PN結的制造工藝和雜質(zhì)分布 （52）
2．1．2 平衡PN結的空間電荷區和能帶圖 （54）
2．1．3 平衡PN結的載流子濃度分布 （57）
2．2 PN結的直流特性 （58）
2．2．1 PN結的正向特性 （58）
2．2．2 PN結的反向特性 （65）
2．2．3 PN結的伏安特性 （68）
2．2．4 影響PN結伏安特性的因素 （70）
2．3 PN結空間電荷區的電場(chǎng)和寬度 （76）
2．3．1 突變結空間電荷區的電場(chǎng)和寬度 （77）
2．3．2 緩變結空間電荷區的電場(chǎng)和寬度 （81）
2．4 PN結的擊穿特性 （84）
2．4．1 擊穿機理 （84）
2．4．2 雪崩擊穿電壓 （86）
2．4．3 影響雪崩擊穿電壓的因素 （91）
2．5 PN結的電容效應 （95）
2．5．1 PN結的勢壘電容 （95）
2．5．2 PN結的擴散電容 （101）
2．6 PN結的開(kāi)關(guān)特性 （101）
2．6．1 PN結的開(kāi)關(guān)作用 （101）
2．6．2 PN結的反向恢復時(shí)間 （103）
2．6．3 提高PN結開(kāi)關(guān)速度的途徑 （106）
2．7 金屬半導體的整流接觸和歐姆接觸 （107）
2．7．1 金屬半導體接觸的表面勢壘 （108）
2．7．2 金屬半導體接觸的整流效應與肖特基二極管 （110）
2．7．3 歐姆接觸 （112）
思考題和習題 （114）
第3章 雙極型晶體管 （115）
3．1 晶體管的基本結構、制造工藝和雜質(zhì)分布 （115）
3．1．1 晶體管的基本結構和分類(lèi) （115）
3．1．2 晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 （116）
3．1．3 均勻基區晶體管和緩變基區晶體管 （118）
3．2 晶體管的電流放大原理 （118）
3．2．1 晶體管的能帶及其載流子的濃度分布 （119）
3．2．2 晶體管載流子的傳輸及各極電流的形成 （120）
3．2．3 晶體管的直流電流-電壓關(guān)系 （123）
3．2．4 晶體管的直流電流放大系數 （126）
3．2．5 影響晶體管直流電流放大系數的因素 （134）
3．3 晶體管的直流伏安特性曲線(xiàn) （139）
3．3．1 共基極連接的直流特性曲線(xiàn) （140）
3．3．2 共發(fā)射極連接的直流特性曲線(xiàn) （141）
3．3．3 兩種組態(tài)輸出特性曲線(xiàn)的比較 （142）
3．4 晶體管的反向電流與擊穿特性 （143）
3．4．1 晶體管的反向電流 （143）
3．4．2 晶體管的反向擊穿電壓 （145）
3．4．3 穿通電壓 （149）
3．5 晶體管的頻率特性 （150）
3．5．1 晶體管交流特性和交流小信號傳輸過(guò)程 （151）
3．5．2 晶體管的高頻等效電路和交流電流放大系數 （154）
3．5．3 晶體管的頻率特性曲線(xiàn)和極限頻率參數 （162）
3．5．4 晶體管的噪聲 （167）
3．6 晶體管的功率特性 （170）
3．6．1 基區大注入效應 （170）
3．6．2 基區擴展效應 （175）
3．6．3 發(fā)射極電流集邊效應 （179）
3．6．4 集電結最大耗散功率和晶體管的熱阻 （183）
3．6．5 晶體管的二次擊穿 （187）
3．6．6 集電極最大工作電流和安全工作區 （191）
3．7 晶體管的開(kāi)關(guān)特性 （193）
3．7．1 晶體管的開(kāi)關(guān)作用 （193）
3．7．2 晶體管的開(kāi)關(guān)波形和開(kāi)關(guān)時(shí)間的定義 （196）
3．7．3 晶體管的開(kāi)關(guān)過(guò)程和影響開(kāi)關(guān)時(shí)間的因素 （198）
3．7．4 提高開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)關(guān)速度的途徑 （202）
3．7．5 開(kāi)關(guān)晶體管的正向壓降和飽和壓降 （203）
3．8 晶體管的設計 （205）
3．8．1 晶體管設計的一般方法 （205）
3．8．2 晶體管的縱向設計 （207）
3．8．3 晶體管的橫向設計 （211）
思考題和習題 （219）
第4章 MOS場(chǎng)效應晶體管 （221）
4．1 MOS場(chǎng)效應晶體管的結構、工作原理和輸出特性 （221）
4．1．1 MOS場(chǎng)效應晶體管的結構 （221）
4．1．2 MOS場(chǎng)效應管的基本工作原理和輸出特性 （222）
4．1．3 MOS場(chǎng)效應晶體管的分類(lèi) （224）
4．2 MOS場(chǎng)效應晶體管的閾值電壓 （226）
4．2．1 MOS場(chǎng)效應晶體管閾值電壓的定義 （226）
4．2．2 MOS場(chǎng)效應晶體管閾值電壓的表示式 （226）
4．2．3 非理想條件下MOS場(chǎng)效應管的閾值電壓 （229）
4．2．4 影響閾值電壓的其他因素 （233）
4．2．5 閾值電壓的調整技術(shù) （236）
4．3 MOS場(chǎng)效應晶體管的直流電流―電壓特性 （240）
4．3．1 MOS場(chǎng)效應晶體管線(xiàn)性區的電流―電壓特性 （240）
4．3．2 MOS場(chǎng)效應晶體管飽和區的電流―電壓特性 （241）
4．3．3 亞閾值區的電流―電壓特性 （242）
4．3．4 MOS場(chǎng)效應晶體管擊穿區特性及擊穿電壓 （244）
4．4 MOS電容及MOS場(chǎng)效應晶體管瞬態(tài)電路模型 （247）
4．4．1 理想MOS結構的電容―電壓特性 （247）
4．4．2 MOS場(chǎng)效應晶體管瞬態(tài)電路模型（SPICE模型）的建立 （250）
4．5 MOS場(chǎng)效應管的交流小信號參數和頻率特性 （253）
4．5．1 MOS場(chǎng)效應管的交流小信號參數 （253）
4．5．2 MOS場(chǎng)效應晶體管的頻率特性 （257）
4．6 MOS場(chǎng)效應晶體管的開(kāi)關(guān)特性 （259）
4．6．1 MOS場(chǎng)效應晶體管瞬態(tài)開(kāi)關(guān)過(guò)程 （259）
4．6．2 開(kāi)關(guān)時(shí)間的計算 （261）
4．7 MOS場(chǎng)效應晶體管的二級效應 （262）
4．7．1 非常數表面遷移率效應 （262）
4．7．2 體電荷效應對電流―電壓特性的影響 （263）
4．7．3 MOS場(chǎng)效應晶體管的短溝道效應 （265）
4．7．4 MOS場(chǎng)效應晶體管的窄溝道效應 （268）
4．8 MOS場(chǎng)效應晶體管溫度特性 （269）
4．8．1 熱電子效應 （269）
4．8．2 遷移率隨溫度的變化 （270）
4．8．3 閾值電壓與溫度關(guān)系 （270）
4．8．4 MOS場(chǎng)效應晶體管幾個(gè)主要參數的溫度關(guān)系 （271）
思考題和習題 （273）
第5章 結型場(chǎng)效應晶體管及金屬半導體場(chǎng)效應晶體管 （274）
5．1 JFET及MESFET的結構、工作原理和分類(lèi) （274）
5．1．1 JFET及MESFET的結構 （274）
5．1．2 JFET工作原理和輸出特性 （276）
5．1．3 JFET和MESFET的分類(lèi) （277）
5．2 JFET的電流電壓特性 （278）
5．2．1 線(xiàn)性區電流電壓特性 （279）
5．2．2 飽和區電流電壓特性 （281）
5．2．3 亞閾值區特性 （283）
5．3 JFET的直流和交流小信號參數 （285）
5．3．1 JFET的直流參數 （285）
5．3．2 JFET的交流小信號參數 （288）
5．4 JFET的高頻參數 （290）
5．4．1 截止頻率fT （291）
5．4．2 渡越時(shí)間截止頻率f0 （292）
5．4．3 最高振蕩頻率fM （292）
5．5 短溝道JFET和MESFET （293）
5．5．1 短溝道JFET和MESFET中的遷移率調制效應 （293）
5．5．2 短溝道JFET和MESFET的電流―電壓方程 （295）
思考題與習題 （295）
第6章 其他常用半導體器件 （297）
6．1 功率MOS場(chǎng)效應晶體管 （297）
6．1．1 功率MOS場(chǎng)效應晶體管的基本結構 （297）
6．1．2 功率MOS場(chǎng)效應晶體管電流電壓特性 （299）
6．1．3 功率MOS場(chǎng)效應晶體管的跨導和輸出漏電導 （302）
6．1．4 功率MOS場(chǎng)效應晶體管的導通電阻 （302）
6．1．5 極限參數 （306）
6．2 絕緣柵雙極晶體管（IGBT） （307）
6．2．1 基本結構與特性 （307）
6．2．2 工作原理與器件物理分析 （310）
6．2．3 柵極關(guān)斷 （317）
6．2．4 擎住效應 （318）
6．2．5 頻率與開(kāi)關(guān)特性 （320）
6．3 半導體光學(xué)效應及光電二極管 （322）
6．3．1 半導體PN結光伏特性 （322）
6．3．2 光電導及光敏二極管 （326）
6．4 發(fā)光二極管 （327）
6．4．1 發(fā)光過(guò)程中的復合 （327）
6．4．2 發(fā)光二極管的制備與特性 （328）
6．5 半導體激光器 （330）
6．5．1 半導體激光器及其結構 （330）
6．5．2 半導體受激發(fā)光條件 （331）
思考題與習題 （334）
附錄 （335）
參考文獻 （336）