集成電路芯片制造簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
1.各章配備了真實(shí)的生產(chǎn)操作視頻，用二維碼鏈接，幫助學(xué)生從理論到實(shí)踐的認知。
2.完整的生產(chǎn)實(shí)際案例，在工作過(guò)程的引導下完成微電子器件芯片制造工藝流程的導入。
本書(shū)共11章，內容包括集成電路芯片制造概述、襯底材料硅晶片結構及制備、常見(jiàn)微電子器件的結構、集成電路芯片的制造工藝、硅片的沾污與清洗、光刻工藝、刻蝕工藝、摻雜工藝、薄膜生長(cháng)工藝、表面鈍化等，從理論到工藝方法進(jìn)行了詳細介紹。最后用集成電路芯片生產(chǎn)實(shí)例將各工藝環(huán)節串聯(lián)起來(lái)，給讀者一個(gè)完整的工藝概念。同時(shí)各章配了真實(shí)的生產(chǎn)操作視頻，用二維碼鏈接，幫助學(xué)生從理論到實(shí)踐的認知。
本書(shū)可作為微電子專(zhuān)業(yè)本科及大專(zhuān)教材，也可作為微電子專(zhuān)業(yè)教師或技術(shù)人員入職培訓用書(shū)，還可作為微電子技術(shù)人員的參考用書(shū)。
目錄
第1章概述
1.1微電子器件發(fā)展歷程
1.1.1電子管的誕生
1.1.2晶體管的誕生
1.1.3集成電路時(shí)代
1.2襯底材料的制備
1.3微電子技術(shù)發(fā)展現狀
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第2章襯底材料
2.1常用半導體材料
2.1.1元素半導體材料
2.1.2化合物半導體材料
2.2硅單晶制備技術(shù)
2.3硅中的晶體缺陷
2.4硅片制備
2.4.1整型處理
2.4.2單晶切割
2.4.3研磨
2.4.4刻蝕和拋光
2.4.5清洗
2.4.6硅片檢查及包裝
2.5砷化鎵晶體生長(cháng)技術(shù)簡(jiǎn)介
2.6質(zhì)量控制
2.7小結
參考視頻
第3章微電子器件結構
3.1微芯片中的電阻器
3.2微芯片中的電容器
3.3微芯片中的晶體管
3.3.1標準雙極型工藝二極管
3.3.2基于CMOS工藝和BiCMOS工藝的二極管
3.3.3標準雙極型工藝三極管
3.3.4基于CMOS工藝和BiCMOS工藝的三極管
3.3.5MOS晶體管
3.4小結
參考視頻
第4章芯片制造工藝
4.1雙極型工藝
4.2CMOS工藝
4.3BiCMOS工藝
4.4小結
參考視頻
第5章半導體制造中的沾污控制
5.1沾污對器件性能的影響
5.2沾污的類(lèi)型
5.3沾污的控制
5.3.1環(huán)境的控制
5.3.2工藝控制
5.3.3硅片濕法清洗實(shí)例分析
5.3.4常用金屬材料和器皿的清洗
5.4小結
參考視頻
第6章光刻工藝
6.1光致抗蝕劑
6.2光學(xué)光刻工藝原理
6.2.1氣相成底膜
6.2.2涂膠和前烘
6.2.3對準和曝光
6.2.4顯影和堅膜
6.3其他曝光技術(shù)簡(jiǎn)介
6.4質(zhì)量控制
6.5小結
參考視頻
第7章刻蝕工藝
7.1刻蝕參數
7.1.1刻蝕速率
7.1.2刻蝕剖面
7.1.3刻蝕偏差
7.1.4刻蝕選擇比
7.1.5刻蝕殘留物
7.2濕法化學(xué)腐蝕
7.2.1硅和多晶硅的腐蝕
7.2.2二氧化硅的腐蝕
7.2.3氮化硅的腐蝕
7.2.4鋁和鋁合金的腐蝕
7.3干法化學(xué)刻蝕
7.3.1刻蝕機理
7.3.2等離子體刻蝕系統
7.3.3介質(zhì)干法刻蝕
7.3.4硅和多晶硅的干法刻蝕
7.3.5金屬的干法刻蝕
7.4光刻膠的去除
7.4.1濕法去膠
7.4.2干法去除
7.5刻蝕質(zhì)量控制
7.6小結
參考視頻
第8章?lián)诫s工藝
8.1摻雜工藝概述
8.2擴散原理及方法
8.2.1擴散原理
8.2.2擴散方法
8.3橫向擴散
8.4擴散質(zhì)量控制
8.5離子注入工藝原理
8.5.1離子注入機
8.5.2注入離子在晶格中的運動(dòng)
8.5.3離子注入的雜質(zhì)分布
8.5.4溝道效應
8.6注入損傷和退火
8.7注入質(zhì)量控制
8.8小結
參考視頻
第9章薄膜生長(cháng)工藝
9.1二氧化硅膜的制備
9.1.1二氧化硅膜的用途
9.1.2二氧化硅膜的結構及性質(zhì)
9.1.3高溫制備二氧化硅薄膜的方法
9.1.4熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布
9.1.5二氧化硅薄膜的質(zhì)量控制
9.1.6化學(xué)氣相淀積(CVD)制備二氧化硅膜
9.2多晶硅(POS)介質(zhì)膜的制備
9.3氮化硅(Si3N4)介質(zhì)薄膜
9.4外延生長(cháng)技術(shù)
9.4.1硅氣相外延的生長(cháng)機理
9.4.2硅氣相外延生長(cháng)速率
9.4.3硅氣相外延層中的摻雜
9.4.4硅氣相外延生長(cháng)過(guò)程中的二級效應
9.5氯化氫氣相拋光
9.6典型硅氣相外延工藝
9.7外延層質(zhì)量控制
9.8小結
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第10章表面鈍化
10.1SiSiO2系統
10.1.1SiSiO2系統中的電荷
10.1.2SiSiO2系統中的電荷對器件性能的影響
10.1.3SiSiO2結構性質(zhì)的測試分析
10.2主要的鈍化方法
10.2.1集成電路鈍化的一般步驟
10.2.2摻氯氧化
10.2.3磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)鈍化
10.2.4氮化硅(Si3N4)鈍化膜
10.2.5氧化鋁(Al2O3)鈍化膜
10.2.6聚酰亞胺(PI)鈍化膜
10.3鈍化膜質(zhì)量控制
10.4小結
參考視頻
第11章集成電路芯片生產(chǎn)實(shí)例： 雙極型集成電路芯片的制造
思考
參考文獻
京公網(wǎng)安備 11000002000088號
