電子信息與電氣學(xué)科規劃教材·電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)：集成電路制程設計與工藝仿真簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

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內容簡(jiǎn)介:    《電子信息與電氣學(xué)科規劃教材（電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)）：集成電路制程設計與工藝仿真》介紹當代集成電路設計的系統級前端、布局布線(xiàn)后端及工藝實(shí)現三大環(huán)節所構成的整體技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)著(zhù)眼于集成電路工藝過(guò)程的計算機仿真和計算機輔助設計，以及具體的工具軟件和系統的使用?！峨娮有畔⑴c電氣學(xué)科規劃教材（電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)）：集成電路制程設計與工藝仿真》共12章，主要內容包括常規集成平面工藝、集成工藝原理概要、超大規模集成工藝、一維工藝仿真綜述、工藝仿真交互設置、工藝仿真模型設置、工藝仿真模擬精度、一維工藝仿真實(shí)例、集成工藝二維仿真、二維工藝仿真實(shí)現、現代可制造性設計、可制造性設計理念，并提供電子課件和習題解答。
    《電子信息與電氣學(xué)科規劃教材（電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)）：集成電路制程設計與工藝仿真》可作為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、集成電路設計等專(zhuān)業(yè)的教材，也可供集成電路芯片制造領(lǐng)域的工程技術(shù)人員學(xué)習參考。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:緒論
0-1 半導體及半導體工業(yè)的起源
0-2 半導體工業(yè)的發(fā)展規律
0-3 半導體技術(shù)向微電子技術(shù)的發(fā)展
0-4 當代微電子技術(shù)的發(fā)展特征
本章小結
習題
第1章 半導體材料及制備
1.1 半導體材料及半導體材料的特性
1.1.1 半導體材料的特征與屬性
1.1.2 半導體材料硅的結構特征
1.2 半導體材料的冶煉及單晶制備
1.3 半導體硅材料的提純技術(shù)
1.3.1 精餾提純SiCl4技術(shù)及其提純裝置
1.3.2 精餾提純SiCl4的基本原理
1.4 半導體單晶材料的制備
1.5 半導體單晶制備過(guò)程中的晶體缺陷
本章小結
習題

第2章 集成工藝及原理
2.1 常規集成電路制造技術(shù)基礎
2.1.1 常規雙極性晶體管的工藝結構
2.1.2 常規雙極性晶體管平面工藝流程
2.1.3 常規PN結隔離集成電路平面工藝流程
2.2 外延生長(cháng)技術(shù)
2.3 常規硅氣相外延生長(cháng)過(guò)程的動(dòng)力學(xué)原理
2.4 氧化介質(zhì)制備技術(shù)
2.5 半導體高溫摻雜技術(shù)
2.6 常規高溫熱擴散的數學(xué)描述
2.6.1 恒定表面源擴散問(wèn)題的數學(xué)分析
2.6.2 有限表面源擴散問(wèn)題的數學(xué)分析
2.7 雜質(zhì)熱擴散及熱遷移工藝模型
2.8 離子注入低溫摻雜技術(shù)
本章小結
習題

第3章 超大規模集成工藝
3.1 當代微電子技術(shù)的技術(shù)進(jìn)步
3.2 當代超深亞微米級層次的技術(shù)特征
3.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應
3.4 典型超深亞微米CMOS制造工藝
3.5 超深亞微米CMOS工藝技術(shù)模塊簡(jiǎn)介
本章小結
習題

第4章 一維工藝仿真綜述
4.1 集成電路工藝仿真技術(shù)
4.2 一維工藝仿真系統
SUPREM-2
4.3 SUPREM-2的建模
本章小結
習題

第5章 工藝仿真交互設置
5.1 SUPREM-2工藝仿真輸入卡的設置規范
5.2 SUPREM-2工藝模擬卡的卡序設置
5.3 SUPREM-2仿真系統的卡語(yǔ)句設置
5.4 輸出/輸入類(lèi)卡語(yǔ)句的設置
5.5 工藝步驟類(lèi)卡語(yǔ)句的設置
5.6 工藝模型類(lèi)卡語(yǔ)句的設置
本章小結
習題

第6章 工藝模擬系統模型設置
6.1 系統模型的類(lèi)型及參數分類(lèi)
6.1.1 元素模型
6.1.2 氧化模型
6.1.3 外延模型
6.1.4 特殊用途模型
6.2 SUPREM-2工藝模擬系統所設置的默認參數值
本章小結
習題

第7章 工藝模擬精度的調試
7.1 工藝模擬輸入卡模型修改語(yǔ)句
7.2 工藝模擬精度的調試實(shí)驗
7.2.1 工藝模擬精度調試實(shí)驗的設置
7.2.2 工藝模擬精度調試實(shí)驗舉例
本章小結
習題

第8章 一維工藝仿真實(shí)例
8.1 縱向NPN管芯工序全工藝模擬
8.1.1 工藝制程與模擬卡段的對應描述
8.1.2 縱向NPN工藝制程的標準模擬卡文件
8.1.3 縱向NPN工藝制程模擬的標準輸出
8.2 PMOS結構柵氧工藝模擬實(shí)例
8.3 典型的NPN分立三極管工藝模擬
8.4 PMOS場(chǎng)效應器件源漏擴散模擬
8.5 可制造性設計實(shí)例一
8.6 可制造性設計實(shí)例二
8.7 可制造性設計實(shí)例三
8.8 可制造性設計實(shí)例四
本章小結
習題

第9章 集成電路工藝二維仿真
9.1 集成電路工藝二維仿真系統
9.1.1 TSUPREM-4系統概述
9.1.2 TSUPREM-4仿真系統剖析
9.1.3 TSUPREM-4采用的數值算法
9.2 TSUPREM-4仿真系統的運行
9.3 TSUPREM-4仿真系統的
人機交互語(yǔ)言
本章小結
習題

第10章 二維工藝仿真實(shí)例
10.1 二維選擇性定域刻蝕的實(shí)現
本章小結
習題

第11章 可制造性設計工具
11.1 新一代集成工藝仿真
系統Sentaurus Process
11.1.1 Sentaurus Process簡(jiǎn)介
11.1.2 Sentaurus Process的安裝及啟動(dòng)
11.1.3 創(chuàng )建Sentaurus Process批處理卡命令文件
11.1.4 Sentaurus Process批處理文件執行的主要命令語(yǔ)句
11.1.5 Sentaurus Process所設置的文件類(lèi)型
11.2 Sentaurus Process的仿真功能及交互工具
11.2.1 Sentaurus Process的仿真領(lǐng)域
11.2.2 Sentaurus Process提供的數據庫瀏覽器
11.2.3 Sentaurus Process圖形輸出結果調閱工具
11.3 Sentaurus Process所收入的近代模型
11.3.1 Sentaurus Process中的離子注入模型
11.3.2 Sentaurus Process中的小尺寸擴散模型
11.3.3 Sentaurus Process對局部微機械應力變化描述的建模
11.3.4 Sentaurus Process中基于原子動(dòng)力學(xué)的蒙特卡羅擴散模型
11.3.5 Sentaurus Process中的氧化模型
11.4 Sentaurus Process工藝仿真實(shí)例
11.4.1 工藝制程設計方案
11.4.2 工藝仿真卡命令文件的編寫(xiě)
11.4.3 仿真實(shí)例卡命令文件范本
11.4.4 工藝制程仿真結果
11.4.5 工藝仿真結果的分析
11.5 關(guān)于Sentaurus StructureEditor器件結構生成器
11.5.1 Sentaurus Structure Editor概述
11.5.2 使用SDE完成由Process到Device的接口過(guò)渡
11.5.3 使用Sentaurus StructureEditor創(chuàng )建新的器件結構
本章小結
習題

第12章 可制造性設計理念
12.1 納米級IC可制造性設計理念
12.1.1 DFM 技術(shù)的實(shí)現流程
12.1.2 DFM與工藝可變性、光刻之間的關(guān)系
12.1.3 DFM工具的發(fā)展
12.2 提高可制造性良品率的OPC技術(shù)
12.2.1 光刻技術(shù)的現狀與發(fā)展概況
12.2.2 關(guān)于光學(xué)鄰近效應
12.2.3 光學(xué)鄰近效應校正技術(shù)
12.2.4 用于實(shí)現光刻校正的工具軟件
12.3 Synopsys可制造性設計解決方案
12.3.1 良品率設計分析工具套裝
12.3.2 掩膜綜合工具
12.3.3 掩膜數據準備工具CATSTM
12.3.4 光刻驗證及光刻規則檢查系統
12.3.5 虛擬光掩膜步進(jìn)曝光模擬系統
12.3.6 TCAD可制造性設計工具
12.3.7 制造良品率的管理工具
本章小結
習題
參考文獻