半導體物理基礎教程/全國普通高校電子信息與電氣學(xué)科基礎規劃教材簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2020-01-06 12:12
來(lái)源：京東
作者：京東
半導體物理基礎教程/全國普通高校電子信息與電氣學(xué)科基礎規劃教材
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編輯推薦: 在過(guò)去半個(gè)多世紀的時(shí)間里，半導體物理的研究揭示出許多嶄新的物理現象（比如量子隧道效應、量子霍爾效應等等），并多次獲得諾貝爾物理學(xué)獎。半導體物理的研究還為人類(lèi)社會(huì )特別是信息社會(huì )的發(fā)展奠定了幾乎全部的基礎和支柱（從信息的接受，處理，發(fā)射到傳輸無(wú)一不是基于半導體器件）。在這樣一個(gè)半導體時(shí)代，越來(lái)越多的人希望能對周?chē)募夹g(shù)、儀器的原理有所了解。
本書(shū)嘗試用一種通俗易懂的方式和語(yǔ)言介紹半導體物理學(xué)的基礎理論和器件應用，為那些立志從事微電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步學(xué)習和研發(fā)的讀者奠定基礎。
本書(shū)嘗試用一種通俗易懂的方式和語(yǔ)言介紹半導體物理學(xué)的基礎理論和器件應用，為那些立志從事微電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步學(xué)習和研發(fā)的讀者奠定基礎。
內容簡(jiǎn)介: 本書(shū)全面介紹半導體物理學(xué)的基本理論，以物理科學(xué)、材料科學(xué)與工程、電子技術(shù)的眼光全面審視半導體物理的發(fā)展過(guò)程和進(jìn)展情況。
本書(shū)內容包括半導體的晶體結構、常見(jiàn)半導體的能帶結構、半導體中雜質(zhì)和缺陷效應、載流子的統計計算方法、半導體導電特性、光電導效應、光伏效應、金屬半導體的接觸特性、半導體同質(zhì)PN結、半導體異質(zhì)結構、MOS結構的特性及應用、半導體發(fā)光特性、半導體量子限域效應、半導體磁效應、半導體隧穿效應等，以及建立在此基礎之上的各種半導體器件的原理和應用問(wèn)題。
本書(shū)可作為高等院校電子信息類(lèi)本科專(zhuān)業(yè)的半導體物理課程教材，也可供相關(guān)科技人員參考.
本書(shū)內容包括半導體的晶體結構、常見(jiàn)半導體的能帶結構、半導體中雜質(zhì)和缺陷效應、載流子的統計計算方法、半導體導電特性、光電導效應、光伏效應、金屬半導體的接觸特性、半導體同質(zhì)PN結、半導體異質(zhì)結構、MOS結構的特性及應用、半導體發(fā)光特性、半導體量子限域效應、半導體磁效應、半導體隧穿效應等，以及建立在此基礎之上的各種半導體器件的原理和應用問(wèn)題。
本書(shū)可作為高等院校電子信息類(lèi)本科專(zhuān)業(yè)的半導體物理課程教材，也可供相關(guān)科技人員參考.
作者簡(jiǎn)介: 郭子政，教授，理學(xué)院應用物理系主任。研究領(lǐng)域：1.凝聚態(tài)理論；2.計算機模。主持參加*、部省級科研課題10余項，發(fā)表論文90多篇，其中被SCI、EI收錄20余篇。參編、編著(zhù)教材2部。
目錄:第1章半導體晶體結構
1.1晶體與非晶體
1.2晶體結構
1.3半導體的晶體結構
習題
第2章半導體的能帶
2.1能帶的形成
2.2半導體中電子共有化運動(dòng)與能帶的量子力學(xué)描述
2.3半導體中的E(k)~k關(guān)系及有效質(zhì)量
2.4硅、鍺和砷化鎵的能帶結構
2.5本征半導體、本征激發(fā)和空穴
2.6能帶理論應用舉例
習題
第3章雜質(zhì)半導體和雜質(zhì)能級
3.1間隙式雜質(zhì)和替位式雜質(zhì)
3.2施主和受主
3.3雜質(zhì)補償
3.4深能級雜質(zhì)
習題
第4章半導體中的平衡載流子
4.1加權求和和加權平均
4.2理想氣體分子按速率的分布
4.3導帶電子濃度與價(jià)帶空穴濃度
4.4本征載流子濃度與本征費米能級
4.5雜質(zhì)半導體的載流子濃度
習題
第5章半導體中載流子的輸運現象
5.1半導體中載流子的運動(dòng)形式
5.1.1無(wú)規則運動(dòng)——熱運動(dòng)
5.1.2有規則運動(dòng)
5.2主要散射機構以及遷移率與平均自由時(shí)間的關(guān)系
5.3遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5.4強電場(chǎng)效應
5.5耿氏效應
5.5.1伏安特性
5.5.2νd~ε特性
5.5.3雙谷模型理論
習題
第6章非平衡載流子
6.1過(guò)剩載流子及其產(chǎn)生與復合
6.2非平衡載流子的壽命
6.3準費米能級
6.4載流子的擴散運動(dòng)、愛(ài)因斯坦關(guān)系
6.5連續性方程
習題
第7章pn結
7.1pn結的單向導電性
7.1.1平衡pn結
7.1.2pn結的伏安特性
7.2pn結電容
7.2.1勢壘電容
7.2.2擴散電容
7.3pn結擊穿
7.4pn結隧道效應
習題
第8章金屬半導體接觸
8.1兩類(lèi)接觸
8.2肖特基勢壘
8.3金屬半導體整流接觸的電流電壓關(guān)系
8.4歐姆接觸
習題
第9章MOS結構
9.1MOS電容
9.2能帶圖
9.3MOS結構的CV特性
9.4MOSFET基本工作原理
9.5MOS存儲器結構
9.6鰭式晶體管
習題
第10章半導體異質(zhì)結構
10.1異質(zhì)結
10.2異質(zhì)結的能帶圖
10.3量子阱和超晶格
10.4異質(zhì)結激光器
10.5晶格匹配和熱匹配
習題
第11章半導體電光和光電轉換效應
11.1光是怎么產(chǎn)生的
11.2電致發(fā)光和LED
11.3白光LED
11.4OLED
11.5半導體光電效應
11.5.1光電效應
11.5.2半導體的內光電效應
11.6半導體光伏效應的應用
習題
第12章半導體低維結構
12.1量子受限系統
12.2量子限域效應
12.2.1量子阱
12.2.2量子線(xiàn)
12.2.3量子點(diǎn)
12.2.4態(tài)密度
習題
第13章半導體磁效應
13.1到了重新發(fā)明晶體管的時(shí)候了？
13.2自旋和自旋電子學(xué)
13.3半導體的磁效應
13.4自旋霍爾效應
習題
第14章隧道型量子器件基礎
14.1半導體隧道效應
14.1.1共振隧穿二極管RTD
14.1.2隧穿場(chǎng)效應管
14.2透射系數
14.2.1WKB近似
14.2.2傳輸矩陣方法
14.3隧穿電流
14.4半導體中的隧穿
14.4.1p+n+結隧穿： 齊納隧穿
14.4.2MIS(MOS)隧穿: FowlerNordheim隧穿
14.4.3MIM隧穿： Simmons公式
習題
習題參考答案
參考文獻
1.1晶體與非晶體
1.2晶體結構
1.3半導體的晶體結構
習題
第2章半導體的能帶
2.1能帶的形成
2.2半導體中電子共有化運動(dòng)與能帶的量子力學(xué)描述
2.3半導體中的E(k)~k關(guān)系及有效質(zhì)量
2.4硅、鍺和砷化鎵的能帶結構
2.5本征半導體、本征激發(fā)和空穴
2.6能帶理論應用舉例
習題
第3章雜質(zhì)半導體和雜質(zhì)能級
3.1間隙式雜質(zhì)和替位式雜質(zhì)
3.2施主和受主
3.3雜質(zhì)補償
3.4深能級雜質(zhì)
習題
第4章半導體中的平衡載流子
4.1加權求和和加權平均
4.2理想氣體分子按速率的分布
4.3導帶電子濃度與價(jià)帶空穴濃度
4.4本征載流子濃度與本征費米能級
4.5雜質(zhì)半導體的載流子濃度
習題
第5章半導體中載流子的輸運現象
5.1半導體中載流子的運動(dòng)形式
5.1.1無(wú)規則運動(dòng)——熱運動(dòng)
5.1.2有規則運動(dòng)
5.2主要散射機構以及遷移率與平均自由時(shí)間的關(guān)系
5.3遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5.4強電場(chǎng)效應
5.5耿氏效應
5.5.1伏安特性
5.5.2νd~ε特性
5.5.3雙谷模型理論
習題
第6章非平衡載流子
6.1過(guò)剩載流子及其產(chǎn)生與復合
6.2非平衡載流子的壽命
6.3準費米能級
6.4載流子的擴散運動(dòng)、愛(ài)因斯坦關(guān)系
6.5連續性方程
習題
第7章pn結
7.1pn結的單向導電性
7.1.1平衡pn結
7.1.2pn結的伏安特性
7.2pn結電容
7.2.1勢壘電容
7.2.2擴散電容
7.3pn結擊穿
7.4pn結隧道效應
習題
第8章金屬半導體接觸
8.1兩類(lèi)接觸
8.2肖特基勢壘
8.3金屬半導體整流接觸的電流電壓關(guān)系
8.4歐姆接觸
習題
第9章MOS結構
9.1MOS電容
9.2能帶圖
9.3MOS結構的CV特性
9.4MOSFET基本工作原理
9.5MOS存儲器結構
9.6鰭式晶體管
習題
第10章半導體異質(zhì)結構
10.1異質(zhì)結
10.2異質(zhì)結的能帶圖
10.3量子阱和超晶格
10.4異質(zhì)結激光器
10.5晶格匹配和熱匹配
習題
第11章半導體電光和光電轉換效應
11.1光是怎么產(chǎn)生的
11.2電致發(fā)光和LED
11.3白光LED
11.4OLED
11.5半導體光電效應
11.5.1光電效應
11.5.2半導體的內光電效應
11.6半導體光伏效應的應用
習題
第12章半導體低維結構
12.1量子受限系統
12.2量子限域效應
12.2.1量子阱
12.2.2量子線(xiàn)
12.2.3量子點(diǎn)
12.2.4態(tài)密度
習題
第13章半導體磁效應
13.1到了重新發(fā)明晶體管的時(shí)候了？
13.2自旋和自旋電子學(xué)
13.3半導體的磁效應
13.4自旋霍爾效應
習題
第14章隧道型量子器件基礎
14.1半導體隧道效應
14.1.1共振隧穿二極管RTD
14.1.2隧穿場(chǎng)效應管
14.2透射系數
14.2.1WKB近似
14.2.2傳輸矩陣方法
14.3隧穿電流
14.4半導體中的隧穿
14.4.1p+n+結隧穿： 齊納隧穿
14.4.2MIS(MOS)隧穿: FowlerNordheim隧穿
14.4.3MIM隧穿： Simmons公式
習題
習題參考答案
參考文獻
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