模擬集成電路原理及設計簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2019-11-25 16:28
來(lái)源：京東
作者：京東
模擬集成電路原理及設計
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內容簡(jiǎn)介: 全書(shū)共有9章內容。主要內容包括：模擬集成電路中的無(wú)源器件、結型柵場(chǎng)效應晶體管、MOSFET、CCD、模擬集成電路器件的參數提取、MOS放大器、集成運算放大器、集成功率放大器和導體制造技術(shù)。本書(shū)可以作為電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、集成電路工程等專(zhuān)業(yè)本科生的模擬集成電路設計課程的教材，也可以作為電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)研究生的教材。
作者簡(jiǎn)介: 王守國，1994年在西北大學(xué)工作至今，電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)教師，主講《微電子器件與電路可靠性》，《MOS器件原理》等。2005-2007年香港理工大學(xué)機械系學(xué)習2008-2010年復旦大學(xué)微電子學(xué)院工作。
目錄:前言
教學(xué)建議
第1章 模擬集成電路中的無(wú)源元件1
1.1 模擬集成電路的工藝基礎1
1.2 模擬集成電路中的電阻8
1.3 模擬集成電路中的電容16
1.4 模擬集成電路中的電感24
習題35
第2章 結型柵場(chǎng)效應晶體管36
2.1 JFET的基本原理36
2.2 JFET的伏安特性40
2.3 JFET的直流和交流參數43
2.4 MESFET的特性46
2.5 場(chǎng)相關(guān)遷移率特性48
2.6 結型柵場(chǎng)效應管的頻率特性53
2.7 器件的噪聲特性58
2.8 JFET和MESFET的結構舉例61
習題66
第3章 MOSFET67
3.1 MOSFET的結構和類(lèi)型68
3.2 MOSFET的閾值電壓72
3.3 MOSFET的伏安特性80
3.4 MOSFET的交流小信號特性87
3.5 MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96
3.6 MOSFET的噪聲特性101
3.7 MOSFET的擊穿特性104
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結構111
3.9 MOSFET的溫度特性117
3.10 短溝道效應120
3.11 場(chǎng)效應晶體管的設計129
習題134
第4章 CCD136
4.1 CCD的工作原理136
4.2 CCD的基本參數144
4.3 成像原理148
4.4 CCD的改進(jìn)方式150
4.5 CCD在模擬電路中的應用151
習題153
第5章 模擬集成電路器件參數的提取154
5.1 歐姆接觸的有關(guān)參數154
5.2 MOSFET的有關(guān)參數提取159
5.3 MESFET的有關(guān)參數提取168
習題175
第6章 CMOS放大器176
6.1 模擬電路中的MOS器件模型177
6.2 共源級放大器182
6.3 共源共柵級198
6.4 差分放大器204
習題211
第7章 集成運算放大器212
7.1 集成運算放大器的構建212
7.2 集成運算放大器基本模塊分析217
7.3 集成運算放大器的設計223
7.4 集成CMOS運算放大器版圖設計227
7.5 集成CMOS運算放大器的實(shí)現232
習題237
第8章 集成功率放大器238
8.1 功率放大器的特性和典型電路238
8.2 集成功率放大器實(shí)現的制約分析與設計251
8.3 全集成CMOS功率放大器的實(shí)現255
8.4 功率放大器的盡限問(wèn)題261
8.5 功率放大器研制的新進(jìn)展265
習題268
第9章 半導體制造技術(shù)269
9.1 半導體工藝的發(fā)展及CMOS工藝流程269
9.2 半導體工藝主要工序280
習題291
附錄 常用物理參數292
參考文獻293
教學(xué)建議
第1章 模擬集成電路中的無(wú)源元件1
1.1 模擬集成電路的工藝基礎1
1.2 模擬集成電路中的電阻8
1.3 模擬集成電路中的電容16
1.4 模擬集成電路中的電感24
習題35
第2章 結型柵場(chǎng)效應晶體管36
2.1 JFET的基本原理36
2.2 JFET的伏安特性40
2.3 JFET的直流和交流參數43
2.4 MESFET的特性46
2.5 場(chǎng)相關(guān)遷移率特性48
2.6 結型柵場(chǎng)效應管的頻率特性53
2.7 器件的噪聲特性58
2.8 JFET和MESFET的結構舉例61
習題66
第3章 MOSFET67
3.1 MOSFET的結構和類(lèi)型68
3.2 MOSFET的閾值電壓72
3.3 MOSFET的伏安特性80
3.4 MOSFET的交流小信號特性87
3.5 MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96
3.6 MOSFET的噪聲特性101
3.7 MOSFET的擊穿特性104
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結構111
3.9 MOSFET的溫度特性117
3.10 短溝道效應120
3.11 場(chǎng)效應晶體管的設計129
習題134
第4章 CCD136
4.1 CCD的工作原理136
4.2 CCD的基本參數144
4.3 成像原理148
4.4 CCD的改進(jìn)方式150
4.5 CCD在模擬電路中的應用151
習題153
第5章 模擬集成電路器件參數的提取154
5.1 歐姆接觸的有關(guān)參數154
5.2 MOSFET的有關(guān)參數提取159
5.3 MESFET的有關(guān)參數提取168
習題175
第6章 CMOS放大器176
6.1 模擬電路中的MOS器件模型177
6.2 共源級放大器182
6.3 共源共柵級198
6.4 差分放大器204
習題211
第7章 集成運算放大器212
7.1 集成運算放大器的構建212
7.2 集成運算放大器基本模塊分析217
7.3 集成運算放大器的設計223
7.4 集成CMOS運算放大器版圖設計227
7.5 集成CMOS運算放大器的實(shí)現232
習題237
第8章 集成功率放大器238
8.1 功率放大器的特性和典型電路238
8.2 集成功率放大器實(shí)現的制約分析與設計251
8.3 全集成CMOS功率放大器的實(shí)現255
8.4 功率放大器的盡限問(wèn)題261
8.5 功率放大器研制的新進(jìn)展265
習題268
第9章 半導體制造技術(shù)269
9.1 半導體工藝的發(fā)展及CMOS工藝流程269
9.2 半導體工藝主要工序280
習題291
附錄 常用物理參數292
參考文獻293
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