太陽(yáng)能光伏理化基礎（第二版）(黃建華)簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

內容簡(jiǎn)介:　　《太陽(yáng)能光伏理化基礎》在第一版的基礎上進(jìn)行修訂，根據光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實(shí)際需求和教學(xué)實(shí)踐，優(yōu)化已有的知識點(diǎn)，添加了光資源、光伏電池的化學(xué)反應等內容，并在章節編排上進(jìn)行了調整。  
　　《太陽(yáng)能光伏理化基礎》從光資源介紹與分析入手，系統闡述了原子及分子結構、價(jià)鍵理論、晶體及材料缺陷、PN結特性、光伏電池的化學(xué)反應以及其他新型光伏電池的理論知識。  
　　《太陽(yáng)能光伏理化基礎》可作為高等院校及職業(yè)院校光伏發(fā)電技術(shù)及應用等相關(guān)專(zhuān)業(yè)學(xué)生的教材，同時(shí)可作為光伏生產(chǎn)企業(yè)對員工的崗位培訓教材，也可以作為相關(guān)專(zhuān)業(yè)的工程技術(shù)人員參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:第1章光資源1
1.1光與光譜1
1.1.1光的本質(zhì)1
1.1.2光波1
1.1.3光譜2
1.2太陽(yáng)光譜能量分布3
1.2.1大氣層外的太陽(yáng)光譜4
1.2.2到達地面的太陽(yáng)輻射4
1.3太陽(yáng)輻射4
1.3.1太陽(yáng)基本知識4
1.3.2太陽(yáng)輻射基本概念5
1.3.3地面太陽(yáng)輻射6
1.4全國光資源分布情況8
本章小結9
思考題9
第2章原子結構10
2.1氫原子光譜與玻爾理論10
2.1.1氫原子光譜10
2.1.2玻爾理論12
2.2微觀(guān)粒子運動(dòng)的規律14
2.2.1波粒二象性14
2.2.2測不準原理15
2.2.3波函數與原子軌道16
2.2.4四個(gè)量子數17
2.3原子核外電子排布19
2.3.1屏蔽效應19
2.3.2穿透效應20
2.3.3能級交錯及近似能級圖20
2.3.4核外電子排布23
本章小結24
思考題24
第3章化學(xué)鍵與分子結構25
3.1離子鍵25
3.1.1離子鍵的形成25
3.1.2離子鍵的形成條件26
3.1.3離子鍵的特點(diǎn)26
3.1.4離子晶體27
3.1.5離子晶體的結構27
3.2共價(jià)鍵30
3.2.1價(jià)鍵理論30
3.2.2共價(jià)鍵的類(lèi)型31
3.2.3雜化軌道理論32
3.2.4分子晶體和原子晶體35
3.3金屬鍵36
3.3.1金屬鍵的改性共價(jià)理論37
3.3.2金屬鍵的能帶理論37
3.3.3金屬鍵的本質(zhì)38
3.3.4金屬晶體38
本章小結40
思考題40
第4章晶體的基本知識41
4.1晶體與非晶體41
4.2晶體的特性42
4.2.1晶體的自限性42
4.2.2晶體的對稱(chēng)性43
4.2.3晶體固定的熔點(diǎn)44
4.2.4晶體的均勻性44
4.2.5晶體的各向異性45
4.2.6晶體的解理性45
4.2.7最小內能和穩定性46
4.2.8X射線(xiàn)衍射特性46
4.3常見(jiàn)晶體的類(lèi)型46
4.3.1晶體的分類(lèi)46
4.3.2常見(jiàn)半導體材料47
4.3.3半導體的摻雜47
4.4空間點(diǎn)陣和晶胞48
4.4.1晶體的微觀(guān)描述48
4.4.2晶格的周期性50
4.4.3晶列晶向晶面51
4.4.4晶體結構的分類(lèi)54
4.4.5常見(jiàn)的晶體結構57
4.4.6晶體中原子排列的配位數和致密度62
本章小結63
思考題63
第5章晶體缺陷64
5.1概述64
5.2晶體缺陷65
5.2.1點(diǎn)缺陷66
5.2.2線(xiàn)缺陷68
5.2.3面缺陷74
5.2.4體缺陷76
5.3晶硅中的缺陷及其影響77
5.3.1氧雜質(zhì)及其影響77
5.3.2碳雜質(zhì)及其影響79
5.3.3氫雜質(zhì)及其影響79
5.3.4金屬雜質(zhì)及其影響80
5.3.5位錯及其影響81
5.3.6晶界及其影響81
本章小結82
思考題82
第6章半導體材料性能84
6.1半導體的特性84
6.1.1正格子和倒格子84
6.1.2波函數85
6.1.3半導體中的電子狀態(tài)和能帶86
6.1.4半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級91
6.2熱平衡載流子94
6.2.1狀態(tài)密度94
6.2.2統計規律95
6.2.3費米分布函數和費米能級95
6.2.4導帶中的電子濃度和價(jià)帶中的空穴濃度97
6.2.5非簡(jiǎn)并半導體98
6.2.6本征載流子濃度99
6.2.7雜質(zhì)半導體的載流子濃度100
6.2.8簡(jiǎn)并半導體103
6.3非平衡載流子104
6.3.1準費米能級104
6.3.2半導體的光吸收105
6.3.3非平衡載流子的壽命109
6.3.4復合過(guò)程110
6.4載流子的輸運113
6.4.1漂移運動(dòng)114
6.4.2遷移率115
6.4.3擴散運動(dòng)115
6.4.4電流密度方程，愛(ài)因斯坦關(guān)系式117
6.4.5泊松方程118
6.4.6連續性方程119
6.5PN結及其特性圖120
6.5.1空間電荷區與接觸電勢差120
6.5.2PN結的電場(chǎng)強度122
6.5.3PN結的電勢分布123
6.5.4空間電荷區寬度123
6.5.5PN結內電荷流動(dòng)的定性描述124
6.5.6理想的電流-電壓關(guān)系124
6.5.7電流電壓關(guān)系的非理想因素127
6.6PIN結128
6.7金屬-半導體接觸129
6.7.1金屬-半導體接觸130
6.7.2歐姆接觸131
6.8半導體-半導體異質(zhì)結132
本章小結134
思考題134
第7章光伏電池性能135
7.1光伏發(fā)電原理135
7.1.1光伏行為來(lái)源135
7.1.2光生伏特效應137
7.1.3光伏電池的I-V特性138
7.2光伏電池性能表征139
7.3光伏電池的效率140
7.4光伏電池效率分析142
7.4.1禁帶寬度的影響142
7.4.2溫度的影響142
7.4.3壽命和擴散長(cháng)度的影響143
7.4.4寄生電阻的影響143
7.5晶硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈概述145
7.5.1硅材料的冶煉145
7.5.2高純度多晶硅的提純146
7.5.3直拉單晶硅棒146
7.5.4鑄造多晶硅錠147
7.5.5硅片加工148
7.5.6晶硅電池及組件制備148
7.5.7光伏發(fā)電系統149
本章小結150
思考題150
第8章光伏電池的化學(xué)反應151
8.1酸反應151
8.1.1硅錠（棒）材料清洗過(guò)程中的酸腐蝕反應151
8.1.2硅片清洗過(guò)程的酸反應151
8.1.3光伏電池制備工藝中的酸反應152
8.2堿反應153
8.2.1硅錠（棒）材料清洗過(guò)程中的堿腐蝕反應153
8.2.2硅片清洗過(guò)程的堿反應153
8.2.3光伏電池制備工藝中的堿反應153
8.3其他化學(xué)反應153
8.3.1多晶硅原料制備中的化學(xué)反應153
8.3.2晶硅電池擴散工序中的化學(xué)反應155
8.3.3晶硅電池PECVD工序中的化學(xué)反應156
本章小結156
思考題156
第9章其他新型太陽(yáng)電池的理論知識157
9.1GaAs電池157
9.1.1GaAs的晶體結構157
9.1.2GaAs的能帶結構158
9.1.3GaAs的遷移率和飽和漂移速度159
9.1.4GaAs晶體的缺陷和位錯159
9.1.5GaAs晶體的雜質(zhì)160
9.1.6砷化鎵太陽(yáng)電池的結構和制備方法161
9.2CdTe電池162
9.2.1CdTe材料的基本性質(zhì)162
9.2.2CdTe太陽(yáng)電池的結構和工作原理163
9.2.3CdTe太陽(yáng)電池制備工藝165
9.3CIGS電池166
9.3.1CIGS材料的基本性質(zhì)166
9.3.2CIGS太陽(yáng)電池的結構和工作原理167
9.3.3CIGS太陽(yáng)電池制備工藝168
9.4有機太陽(yáng)電池169
9.4.1有機高分子太陽(yáng)電池169
9.4.2染料敏化太陽(yáng)電池171
9.4.3鈣鈦礦太陽(yáng)電池173
本章小結175
思考題175
參考文獻176