半導體制造技術(shù)簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

內容簡(jiǎn)介:本書(shū)詳細追述了半導體發(fā)展的歷史并吸收了各種新技術(shù)資料，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對本書(shū)的評價(jià)都很高。全書(shū)共分20章，根據應用于半導體制造的主要技術(shù)分類(lèi)來(lái)安排章節，包括與半導體制造相關(guān)的基礎技術(shù)信息；總體流程圖的工藝模型概況，用流程圖將硅片制造的主要領(lǐng)域連接起來(lái)；具體講解每一個(gè)主要工藝；集成電路裝配和封裝的后部工藝概況。此外，各章為讀者提供了關(guān)于質(zhì)量測量和故障排除的問(wèn)題，這些都是會(huì )在硅片制造中遇到的實(shí)際問(wèn)題。

作者簡(jiǎn)介:Michael Quirk致力于半導體工藝方面的培訓課程。Julian Serda：任職于A(yíng)MD公司。

目錄:第1章 半導體產(chǎn)業(yè)介紹
目標
1．1 引言
1．2 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1．3 電路集成
1．4 集成電路制造
1．5 半導體趨勢
1．6 電子時(shí)代
1．7 在半導體制造業(yè)中的職業(yè)
1．8 小結
第2章 半導體材料特性
目標
2．1 引言
2．2 原子結構
2．3 周期表
2．4 材料分類(lèi)
2．5 硅
2．6 可選擇的半導體材料
2．7 小結
第3章 器件技術(shù)
目標
3．1 引言
3．2 電路類(lèi)型
3．3 源元件結構
3．4 有源元件結構
3．5 CMOS器件的閂鎖效應
3．6 集成電路產(chǎn)品
3．7 小結
第4章 硅和硅片制備
目標
4．1 引言
4．2 半導體級硅
4．3 晶體結構
4．4 晶向
4．5 單晶硅生長(cháng)
4．6 硅中的晶體缺陷
4．7 硅片制備
4．8 質(zhì)量測量
4．9 外延層
4．10 小結
第5章 半導體制造中的化學(xué)品
目標
5．1 引言
5．2 物質(zhì)形態(tài)
5．3 材料的屬性
5．4 工藝用化學(xué)品
5．5 小結
第6章 硅片制造中的沾污控制
目標
6．1 引言
6．2 沾污的類(lèi)型
6．3 沾污的源與控制
6．4 硅片濕法清洗
6．5 小結
第7章 測量學(xué)和缺陷檢查
目標
7．1 引言
7．2 集成電路測量學(xué)
7．3 質(zhì)量測量
7．4 分析設備
7．5 小結
第8章 工藝腔內的氣體控制
目標
8．1 引言
8．2 真空
8．3 真空泵
8．4 工藝腔內的氣流
8．5 殘氣分析器
8．6 等離子體
8．7 工藝腔的沾污
8．8 小結
第9章 集成電路制造工藝概況
目標
9．1 引言
9．2 CMOS工藝流程
9．3 CMOS制作步驟
9．4 小結
第10章 氧化
目標
10．1 引言
10．2 氧化膜
10．3 熱氧化生長(cháng)
10．4 高溫爐設備
10．5 臥式與立式爐
10．6 氧化工藝
10．7 質(zhì)量測量
10．8 氧化檢查及故障排除
10．9 小結
第11章 淀積
目標
11．1 引言
11．2 膜淀積
11．3 化學(xué)氣相淀積
11．4 CVD淀積系統
11．5 介質(zhì)及其性能
11．6 旋涂絕緣介質(zhì)
11．7 外延
11．8 CVD質(zhì)量測量
11．9 CVD檢查及故障排除
11．10 小結
第12章 金屬化
目標
12．1 引言
12．2 金屬類(lèi)型
12．3 金屬淀積系統
12．4 金屬化方案
12．5 金屬化質(zhì)量測量
12．6 金屬化檢查及故障排除
12．7 小結
第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘
目標
13．1 引言
13．2 光刻工藝
13．3 光刻工藝的8個(gè)基本步驟
13．4 氣相成底膜處理
13．5 旋轉涂膠
13．6 軟烘
13．7 光刻膠質(zhì)量測量
13．8 光刻膠檢查及故障排除
13．9 小結
第14章 光刻：對準和曝光
目標
14．1 引言
14．2 光學(xué)光刻
14．3 光刻設備
14．4 混合和匹配
14．5 對準和曝光質(zhì)量測量
14．6 對準和曝光檢查及故障排除
14．7 小結
第15章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù)
目標
15．1 引言
15．2 曝光后烘焙
15．3 顯影
15．4 堅膜
15．5 顯影檢查
15．6 先進(jìn)的光刻技術(shù)
15．7 顯影質(zhì)量測量
15．8 顯影檢查及故障排除
15．9 小結
第16章 刻蝕
目標
16．1 引言
16．2 刻蝕參數
16．3 干法刻蝕
16．4 等離子體刻蝕反應器
16．5 干法刻蝕的應用
16．6 濕法腐蝕
16．7 刻蝕技術(shù)的發(fā)展歷程
16．8 去除光刻膠
16．9 刻蝕檢查
16．10 刻蝕質(zhì)量測量
16．11 干法刻蝕檢查及故障排除
16．12 小結
第17章 離子注入
目標
17．1 引言
17．2 擴散
17．3 離子注入
17．4 離子注入機
17．5 離子注入在工藝集成中的發(fā)展趨勢
17．6 離子注入質(zhì)量測量
17．7 離子注入檢查及故障排除
17．8 小結
第18章 化學(xué)機械平坦化
目標
18．1 引言
18．2 傳統的平坦化技術(shù)
18．3 化學(xué)機械平坦化
18．4 CMP應用
18．5 CMP質(zhì)量測量
18．6 CMP檢查及故障排除
18．7 小結
第19章 硅片測試
目標
19．1 引言
19．2 硅片測試
19．3 測試質(zhì)量測量
19．4 測試檢查及故障排除
19．5 小結
第20章 裝配與封裝
目標
20．1 引言
20．2 傳統裝配
20．3 傳統封裝
20．4 先進(jìn)的裝配與封裝
20．5 封裝與裝配質(zhì)量測量
20．6 集成電路封裝檢查及故障排除
20．7 小結
附錄A 化學(xué)品及安全性
附錄B 凈化間的沾污控制
附錄C 單位
附錄D 作為氧化層厚度函數的顏色
附錄E 光刻膠化學(xué)的概要
附錄F 刻蝕化學(xué)