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    半導體化合物光電原理簡(jiǎn)介,目錄書(shū)摘

    2019-10-31 11:13 來(lái)源:京東 作者:京東
    半導體化合物
    半導體化合物光電原理
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    內容簡(jiǎn)介:本系列叢書(shū)分為《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件制備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部分?!栋雽w化合物光電原理》介紹半導體的結構學(xué)基礎、物理學(xué)基礎以及ⅢAⅤA族半導體化合物的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì),半導體化合物的應用、光電器件的結構和工作原理等,較系統地介紹了相關(guān)基礎知識,適合材料、物理化學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)等專(zhuān)業(yè)的本科和研究生以及工程技術(shù)人員和企業(yè)相關(guān)人員閱讀。
    目錄:第1章半導體結構學(xué)基礎1
    11半導體的化學(xué)結構1
    111元素周期表1
    112原子結構2
    113電離能、電子親和能及電負性8
    114結合鍵10
    12半導體晶體學(xué)基礎12
    121晶體基本概念12
    122常見(jiàn)的晶體結構18
    123晶體結構缺陷23
    124晶體中的界面25
    13半導體的晶體結構27
    131ⅣA族元素半導體27
    132ⅢAⅤA族化合物半導體28
    133ⅡBⅥA族化合物半導體31
    參考文獻33
    第2章半導體物理學(xué)基礎34
    21能帶理論34
    211能帶34
    212布里淵區35
    213費米分布函數與費米能級38
    22半導體中的雜質(zhì)與缺陷39
    23半導體的載流子傳輸特性41
    231半導體中的載流子42
    232半導體中載流子的漂移43
    24半導體中的界面接觸特性46
    241功函數46
    242半導體的界面接觸46
    25半導體的霍爾效應49
    26pn結51
    261空間電荷區51
    262能帶圖52
    263電流電壓特性53
    264理想pn結模型及其電流電壓方程56
    265pn結擊穿56
    266pn結的隧道效應57
    27量子阱與超晶格58
    271單量子阱與二維電子氣58
    272多量子阱與超晶格60
    參考文獻61
    第3章半導體化合物的電學(xué)性質(zhì)62
    31載流子輸運62
    311遷移率63
    312電阻率65
    313載流子復合和壽命66
    314熱電子發(fā)射67
    315隧穿67
    316空間電荷效應68
    32半導體中的能帶68
    33ZnO寬帶隙半導體69
    331ZnO半導體能帶70
    332n型摻雜與電學(xué)性質(zhì)70
    333p型摻雜與電學(xué)性質(zhì)71
    34GaN半導體材料72
    341GaN的晶格結構和能帶72
    342GaN的電學(xué)特性74
    35GaAs半導體材料74
    351GaAs的能帶結構及其主要特點(diǎn)74
    352GaAs電學(xué)特性75
    36其他ⅢAⅤA族半導體材料76
    361InSb的能帶結構及電學(xué)特性76
    362GaP的能帶結構及電學(xué)特性77
    37ⅡBⅥA族化合物的能帶結構77
    38其他能帶結構78
    381固溶體的能帶結構78
    382施主和受主能級79
    383異質(zhì)結的能帶圖80
    384異型異質(zhì)結的電學(xué)特性84
    39LED發(fā)光器件的電參數86
    參考文獻87
    第4章半導體化合物的光學(xué)特性88
    41光、光度學(xué)、輻射度學(xué)和色度學(xué)的基本概念88
    411光的基本概念88
    412光度學(xué)與輻射度學(xué)參數89
    413相關(guān)色度學(xué)參數89
    42光與物質(zhì)的相互作用90
    421線(xiàn)性光學(xué)性能90
    422非線(xiàn)性光學(xué)性能93
    43半導體材料發(fā)光性能參數94
    431發(fā)射光譜95
    432吸收光譜96
    433激發(fā)光譜96
    434發(fā)光衰減96
    435發(fā)光效率97
    44半導體的光吸收99
    441本征吸收99
    442直接躍遷和間接躍遷100
    443其他吸收過(guò)程103
    45半導體的光生伏特效應106
    451pn結的光生伏特效應106
    452光電池的電流電壓特性107
    46半導體發(fā)光108
    461輻射躍遷109
    462發(fā)光效率111
    463電致發(fā)光激發(fā)112
    47半導體激光113
    471自發(fā)輻射和受激輻射113
    472pn結激光器原理114
    473激光材料117
    參考文獻117
    第5章半導體化合物應用簡(jiǎn)介119
    51半導體概述119
    511半導體材料發(fā)展119
    512半導體元素材料及應用120
    513半導體化合物材料及其應用124
    52半導體化合物在LED產(chǎn)業(yè)中的應用127
    521LED照明產(chǎn)品128
    522顯示領(lǐng)域134
    523信息指示領(lǐng)域137
    524LED其他領(lǐng)域138
    53半導體化合物太陽(yáng)電池139
    531概述139
    532太陽(yáng)能電源的應用141
    54半導體化合物激光器143
    541概述143
    542半導體激光器發(fā)展143
    543應用145
    參考文獻148
    第6章半導體化合物光電器件150
    61半導體化合物L(fēng)ED器件150
    611原理150
    612LED器件結構153
    613芯片結構159
    614幾種典型的襯底LED芯片結構162
    62半導體激光器166
    621概述166
    622半導體激光器的工作原理167
    623半導體激光器結構170
    624 半導體激光器的類(lèi)型172
    63太陽(yáng)電池176
    631概述176
    632太陽(yáng)電池的原理176
    633太陽(yáng)電池的結構178
    634太陽(yáng)電池的分類(lèi)180
    635太陽(yáng)電池組件結構183
    參考文獻184
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