窄禁帶半導體物理學(xué)簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2020-04-26 10:26
來(lái)源：京東
作者：京東
窄禁帶半導體物理學(xué)
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內容簡(jiǎn)介:本書(shū)主要討論窄禁帶半導體的基本物理性質(zhì)，包括晶體生長(cháng)，能帶結構，光學(xué)性質(zhì)，晶格振動(dòng)，自由載流子的激發(fā)、運輸和復合，雜質(zhì)缺陷，表面界面，二維電子氣，超晶格和量子阱，器件物理和應用等方面的基本物理現象、效應和規律以及近年來(lái)的主要研究進(jìn)展。在窄禁帶半導體物理研究過(guò)程中建立的新型實(shí)驗方法及器件應用也在書(shū)中有所介紹。
作者簡(jiǎn)介:
目錄:序
前言
第1章 概述
1.1 窄禁帶半導體
1.2 現代紅外光電子物理
1.2.1 紅外材料平臺
1.2.2 紅外物理規律
1.2.3 紅外功能器件
1.2.4 紅外技術(shù)應用
參考文獻
第2章 晶體
2.1 晶體生長(cháng)的基本理論
2.1.1 引言
2.1.2 晶體生長(cháng)熱力學(xué)問(wèn)題
2.1.3 晶體生長(cháng)動(dòng)力學(xué)問(wèn)題
2.1.4 相圖在晶體生長(cháng)中的應用
2.1.5 分凝系數
2.1.6 凝固過(guò)程
2.2 體材料生長(cháng)的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶劑法
2.2.4 固態(tài)再結晶方法
2.3 液相外延薄膜的生長(cháng)
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生長(cháng)條件
2.3.2 液相外延的生長(cháng)程序
2.3.3 不同方式液相外延的比較
2.3.4 影響Hg1-xCdxTe液相外延層質(zhì)量的幾個(gè)因素
2.4 分子束外延薄膜生長(cháng)
2.4.1 分子束外延生長(cháng)過(guò)程
第3章 能帶結構
第4章 光學(xué)性質(zhì)
第5章 輸運性質(zhì)
第6章 晶格振動(dòng)
第7章 雜質(zhì)缺陷
第8章 復合
第9章 表面二維電子氣
第10章 超晶格和量子阱
第11章 器件物理
附錄A 不同組分的HG1-xCDxTe的物理量關(guān)系表
附錄B 簡(jiǎn)要公式
前言
第1章 概述
1.1 窄禁帶半導體
1.2 現代紅外光電子物理
1.2.1 紅外材料平臺
1.2.2 紅外物理規律
1.2.3 紅外功能器件
1.2.4 紅外技術(shù)應用
參考文獻
第2章 晶體
2.1 晶體生長(cháng)的基本理論
2.1.1 引言
2.1.2 晶體生長(cháng)熱力學(xué)問(wèn)題
2.1.3 晶體生長(cháng)動(dòng)力學(xué)問(wèn)題
2.1.4 相圖在晶體生長(cháng)中的應用
2.1.5 分凝系數
2.1.6 凝固過(guò)程
2.2 體材料生長(cháng)的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶劑法
2.2.4 固態(tài)再結晶方法
2.3 液相外延薄膜的生長(cháng)
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生長(cháng)條件
2.3.2 液相外延的生長(cháng)程序
2.3.3 不同方式液相外延的比較
2.3.4 影響Hg1-xCdxTe液相外延層質(zhì)量的幾個(gè)因素
2.4 分子束外延薄膜生長(cháng)
2.4.1 分子束外延生長(cháng)過(guò)程
第3章 能帶結構
第4章 光學(xué)性質(zhì)
第5章 輸運性質(zhì)
第6章 晶格振動(dòng)
第7章 雜質(zhì)缺陷
第8章 復合
第9章 表面二維電子氣
第10章 超晶格和量子阱
第11章 器件物理
附錄A 不同組分的HG1-xCDxTe的物理量關(guān)系表
附錄B 簡(jiǎn)要公式
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