電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)專(zhuān)業(yè)精品教材：集成電路制造技術(shù)·原理與工藝（修訂版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

內容簡(jiǎn)介:

　　《電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)專(zhuān)業(yè)精品教材：集成電路制造技術(shù)·原理與工藝（修訂版）》是哈爾濱工業(yè)大學(xué)“國家集成電路人才培養基地”教學(xué)建設成果，全書(shū)分5個(gè)單元系統地介紹了當前硅集成電路制造普遍采用的工藝技術(shù)。第1單元介紹硅襯底，主要介紹
　　硅單晶的結構特點(diǎn)，單晶硅錠的拉制，硅片（包含體硅片和外延硅片）的制造工藝及相關(guān)理論。第2～5單元介紹硅芯片制造基本單項工藝（氧化與摻雜、薄膜制備、光刻、工藝集成與封裝測試）的原理、方法、設備，以及所依托的技術(shù)基礎及發(fā)展趨勢。附錄A介紹以制作雙極型晶體管為例的微電子生產(chǎn)實(shí)習，雙極型晶體管的全部工藝步驟與檢測技術(shù)；附錄B介紹工藝模擬知識和SUPREM軟件。附錄部分可幫助學(xué)生從理論走向生產(chǎn)實(shí)踐，對微電子產(chǎn)品制造技術(shù)的原理與工藝全過(guò)程有更深入的了解。
　　《電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)專(zhuān)業(yè)精品教材：集成電路制造技術(shù)·原理與工藝（修訂版）》配有PPT、習題解答、微電子工藝視頻等豐富教學(xué)資源。
　　《電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)專(zhuān)業(yè)精品教材：集成電路制造技術(shù)·原理與工藝（修訂版）》可作為普通高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、微電子技術(shù)、集成電路設計及集成系統等專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)業(yè)課教材，也可作為從事集成電路芯片制造的企業(yè)工程技術(shù)人員的參考書(shū)。

目錄:第0章 緒論
0.1 何謂集成電路工藝
0.2 集成電路制造技術(shù)發(fā)展歷程
0.3 集成電路制造技術(shù)特點(diǎn)
0.3.1 超凈環(huán)境
0.3.2 超純材料
0.3.3 批量復制和廣泛的用途
0.4 本書(shū)內容結構

第1單元 硅襯底
第1章 單晶硅特性
1.1 硅晶體的結構特點(diǎn)
1.1.1 硅的性質(zhì)
1.1.2 硅晶胞
1.1.3 硅單晶的晶向、晶面
1.2 硅晶體缺陷
1.2.1 點(diǎn)缺陷
1.2.2 線(xiàn)缺陷
1.2.3 面缺陷和體缺陷
1.3 硅晶體中的雜質(zhì)
1.3.1 雜質(zhì)對硅電學(xué)性質(zhì)的影響
1.3.2 固溶度和相圖
本章小結
第2章 硅片的制備
2.1 多晶硅的制備
2.1.1 冶煉
2.1.2 提純
2.2 單晶硅生長(cháng)
2.2.1 直拉法
2.2.2 單晶生長(cháng)原理
2.2.3 晶體摻雜
2.2.4 磁控直拉法
2.2.5 懸浮區熔法
2.3 切制硅片
2.3.1 切片工藝
2.3.2 硅片規格及用途
本章小結
第3章 外延
3.1 概述
3.1.1 外延概念
3.1.2 外延工藝種類(lèi)
3.1.3 外延工藝用途
3.2 氣相外延
3.2.1 硅的氣相外延工藝
3.2.2 外延原理
3.2.3 影響外延生長(cháng)速率的因素
3.2.4 外延摻雜
3.2.5 外延設備
3.2.6 外延技術(shù)
3.3 分子束外延
3.3.1 工藝及原理
3.3.2 外延設備
3.3.3 MBE工藝特點(diǎn)
3.4 其他外延方法
3.4.1 液相外延
3.4.2 固相外延
3.4.3 先進(jìn)外延技術(shù)及發(fā)展趨勢
3.5 外延缺陷與外延層檢測
3.5.1 外延缺陷類(lèi)型及分析檢測
3.5.2 圖形漂移和畸變現象
3.5.3 外延層參數測量
本章小結
單元習題一

第2單元 氧化與摻雜
第4章 熱氧化
4.1 二氧化硅薄膜概述
4.1.1 二氧化硅結構
4.1.2 二氧化硅的理化性質(zhì)及用途
4.1.3 二氧化硅薄膜中的雜質(zhì)
4.1.4 雜質(zhì)在SiO2中的擴散
4.1.5 二氧化硅的掩蔽作用
4.2 硅的熱氧化
4.2.1 熱氧化工藝
4.2.2 熱氧化機理
4.2.3 硅的DealGrove熱氧化模型
4.2.4 熱氧化生長(cháng)速率
4.2.5 影響氧化速率的各種因素
4.3 初始氧化階段及薄氧化層制備
4.4 熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)的再分布
4.4.1 雜質(zhì)的分凝效應
4.4.2 再分布對硅表面雜質(zhì)濃度的影響
4.5 氧化層的質(zhì)量及檢測
4.5.1 SiO2層厚度的測量
4.5.2 SiO2層成膜質(zhì)量的測量
4.6 其他氧化方法
4.6.1 摻氯氧化
4.6.2 高壓氧化
4.6.3 熱氧化工藝展望
本章小結
第5章 擴散
5.1 擴散機構
5.1.1 替位式擴散（Substitutional）
5.1.2 填隙式擴散（Interstitial）
5.1.3 填隙-替位式擴散
5.2 晶體中擴散的基本特點(diǎn)與宏觀(guān)動(dòng)力學(xué)方程
5.2.1 基本特點(diǎn)
5.2.2 擴散方程
5.2.3 擴散系數
5.3 雜質(zhì)的擴散摻雜
5.3.1 恒定表面源擴散
5.3.2 限定表面源擴散
5.3.3 兩步擴散工藝
5.4 熱擴散工藝中影響雜質(zhì)分布的其他因素
5.4.1 硅中點(diǎn)缺陷對雜質(zhì)擴散的影響
5.4.2 氧化增強擴散
5.4.3 發(fā)射區推進(jìn)效應
5.4.4 橫向擴散效應
5.4.5 場(chǎng)助擴散效應
5.5 擴散工藝條件與方法
5.5.1 擴散方法的選擇
5.5.2 雜質(zhì)源選擇
5.5.3 常用雜質(zhì)的擴散工藝
5.6 擴散工藝質(zhì)量與檢測
5.6.1 結深的測量
5.6.2 表面濃度的確定  1
5.6.3 器件的電學(xué)特性與擴散工藝的關(guān)系
5.7 擴散工藝的發(fā)展
本章小結
第6章 離子注入
6.1 概述
6.2 離子注入原理
6.2.1 與注入離子分布相關(guān)的幾個(gè)概念
6.2.2 離子注入相關(guān)理論基礎
6.2.3 幾種常用雜質(zhì)在硅中的核阻止本領(lǐng)與能量關(guān)系
6.3 注入離子在靶中的分布
6.3.1 縱向分布
6.3.2 橫向效應
6.3.3 單晶靶中的溝道效應
6.3.4 影響注入離子分布的其他因素
6.4 注入損傷
6.4.1 級聯(lián)碰撞
6.4.2 簡(jiǎn)單晶格損傷
6.4.3 非晶層的形成
6.5 退火
6.5.1 硅材料的熱退火特性
6.5.2 硼的退火特性
6.5.3 磷的退火特性
6.5.4 高溫退火引起的雜質(zhì)再分布
6.5.5 二次缺陷
6.5.6 退火方式及快速熱處理技術(shù)
6.6 離子注入設備與工藝
6.6.1 離子注入機
6.6.2 離子注入工藝流程
6.7 離子注入的其他應用
6.7.1 淺結的形成
6.7.2 調整MOS晶體管的閾值電壓
6.7.3 自對準金屬柵結構
6.7.4 離子注入在SOI結構中的應用
6.8 離子注入與熱擴散比較及摻雜新技術(shù)
本章小結
單元習題二

第3單元 薄膜制備
第7章 化學(xué)氣相淀積
7.1 CVD概述
7.2 CVD工藝原理
7.2.1 薄膜淀積過(guò)程
7.2.2 薄膜淀積速率及影響因素
7.2.3 薄膜質(zhì)量控制
7.3 CVD工藝方法
7.3.1 常壓化學(xué)氣相淀積
7.3.2 低壓化學(xué)氣相淀積
7.3.3 等離子體的產(chǎn)生
7.3.4 等離子增強化學(xué)氣相淀積
7.3.5 CVD工藝方法的進(jìn)展
7.4 二氧化硅薄膜的淀積
7.4.1 CVDSiO2特性與用途
7.4.2 APCVDSiO2
7.4.3 LPCVDSiO2
7.4.4 PECVDSiO2
7.5 氮化硅薄膜淀積
7.5.1 氮化硅薄膜性質(zhì)與用途
7.5.2 LPCVD Si3N4
7.5.3 PECVD Si3N4
7.6 多晶硅薄膜的淀積
7.6.1 多晶硅薄膜的性質(zhì)與用途
7.6.2 CVD多晶硅薄膜工藝
7.6.3 多晶硅薄膜的摻雜
7.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜
7.7.1 鎢及其化學(xué)氣相淀積
7.7.2 金屬化合物的化學(xué)氣相淀積
7.7.3 CVD金屬及金屬化合物的進(jìn)展
本章小結
第8章 物理氣相淀積
8.1 PVD概述
8.2 真空系統及真空的獲得
8.2.1 真空系統簡(jiǎn)介
8.2.2 真空的獲得方法
8.2.3 真空度的測量
……