半導體材料（第3版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2020-01-21 14:45
來(lái)源：京東
作者：京東
半導體材料（第3版）
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內容簡(jiǎn)介: 《半導體材料（第3版）》是為大學(xué)本科與半導體相關(guān)的專(zhuān)業(yè)編寫(xiě)的教材，介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長(cháng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(cháng)；第6章為Ⅲ-V族化合物半導體；第7章為Ⅲ-V族化合物半導體的外延生長(cháng)；第8章為Ⅲ-V族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體；第10章為低維結構半導體材料；第11章為氧化物半導體材料；第12章為照明半導體材料；第13章為其他半導體材料。
《半導體材料（第3版）》也可以作為從事與半導體相關(guān)研究工作的科研人員和相關(guān)專(zhuān)業(yè)研究生的參考書(shū)。
《半導體材料（第3版）》也可以作為從事與半導體相關(guān)研究工作的科研人員和相關(guān)專(zhuān)業(yè)研究生的參考書(shū)。
作者簡(jiǎn)介:
目錄:第三版前言
前言
緒論
第1章 硅和鍺的化學(xué)制備
1-1 硅和鍺的物理化學(xué)性質(zhì)
1-2 高純硅的制備
1-3 鍺的富集與提純
第2章 區熔提純
2-1 分凝現象與分凝系數
2-2 區熔原理
2-3 鍺的區熔提純
第3章 晶體生長(cháng)
3-1 晶體生長(cháng)理論基礎
3-2 熔體的晶體生長(cháng)
3-3 硅、鍺單晶生長(cháng)
第4章 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷
4-1 硅、鍺晶體中雜質(zhì)的性質(zhì)
4-2 硅、鍺晶體的摻雜
4-3 硅、鍺單晶的位錯
4-4 硅單晶中的微缺陷
第5章 硅外延生長(cháng)
5-1 外延生長(cháng)概述
5-2 硅襯底制備
5-3 硅的氣相外延生長(cháng)
5-4 硅外延層電阻率的控制
5-5 硅外延層的缺陷
5-6 硅的異質(zhì)外延
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性
6-2 砷化鎵單晶的生長(cháng)方法
6-3 砷化鎵單晶中雜質(zhì)的控制
6-4 砷化鎵單晶的完整性
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長(cháng)
7-1 氣相外延生長(cháng)（VPE）
7-2 金屬有機物氣相外延生長(cháng)（MOVPE）
7-3 液相外延生長(cháng)（LPE）
7-4 分子束外延生長(cháng)（MBE）
7-5 化學(xué)柬外延生長(cháng)（CBE）
7-6 其他外延生長(cháng)技術(shù)
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體
8-1 異質(zhì)結與晶格失配
8-2 GaAlAs外延生長(cháng)
8-3 InGaN外延生長(cháng)
8-4 InGaAsP外延生長(cháng)
8-5 超晶格與量子阱
8-6 應變超晶格
8-7 能帶工程
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的點(diǎn)缺陷與自補償現象
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料
第10章 低維結構半導體材料
10-1 低維結構半導體材料的基本特性
10-2 低維結構半導體材料的制備
10-3 低維結構半導體材料的現狀及未來(lái)
第11章 氧化物半導體材料
11-1 氧化物半導體材料的制備
11-2 氧化物半導體材料的電學(xué)性質(zhì)
11-3 氧化物半導體材料的應用
第12章 照明半導體材料
12-1 LED的基本結構
12-2 外延生長(cháng)GaN襯底材料的選擇
12-3 外延生長(cháng)的發(fā)展趨勢
12-4 外延片結構改進(jìn)
第13章 其他半導體材料
13-1 窄帶隙半導體
13-2 黃銅礦型半導體
13-3 非晶態(tài)半導體材料
13-4 有機半導體材料
參考文獻
前言
緒論
第1章 硅和鍺的化學(xué)制備
1-1 硅和鍺的物理化學(xué)性質(zhì)
1-2 高純硅的制備
1-3 鍺的富集與提純
第2章 區熔提純
2-1 分凝現象與分凝系數
2-2 區熔原理
2-3 鍺的區熔提純
第3章 晶體生長(cháng)
3-1 晶體生長(cháng)理論基礎
3-2 熔體的晶體生長(cháng)
3-3 硅、鍺單晶生長(cháng)
第4章 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷
4-1 硅、鍺晶體中雜質(zhì)的性質(zhì)
4-2 硅、鍺晶體的摻雜
4-3 硅、鍺單晶的位錯
4-4 硅單晶中的微缺陷
第5章 硅外延生長(cháng)
5-1 外延生長(cháng)概述
5-2 硅襯底制備
5-3 硅的氣相外延生長(cháng)
5-4 硅外延層電阻率的控制
5-5 硅外延層的缺陷
5-6 硅的異質(zhì)外延
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性
6-2 砷化鎵單晶的生長(cháng)方法
6-3 砷化鎵單晶中雜質(zhì)的控制
6-4 砷化鎵單晶的完整性
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長(cháng)
7-1 氣相外延生長(cháng)（VPE）
7-2 金屬有機物氣相外延生長(cháng)（MOVPE）
7-3 液相外延生長(cháng)（LPE）
7-4 分子束外延生長(cháng)（MBE）
7-5 化學(xué)柬外延生長(cháng)（CBE）
7-6 其他外延生長(cháng)技術(shù)
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體
8-1 異質(zhì)結與晶格失配
8-2 GaAlAs外延生長(cháng)
8-3 InGaN外延生長(cháng)
8-4 InGaAsP外延生長(cháng)
8-5 超晶格與量子阱
8-6 應變超晶格
8-7 能帶工程
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的點(diǎn)缺陷與自補償現象
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料
第10章 低維結構半導體材料
10-1 低維結構半導體材料的基本特性
10-2 低維結構半導體材料的制備
10-3 低維結構半導體材料的現狀及未來(lái)
第11章 氧化物半導體材料
11-1 氧化物半導體材料的制備
11-2 氧化物半導體材料的電學(xué)性質(zhì)
11-3 氧化物半導體材料的應用
第12章 照明半導體材料
12-1 LED的基本結構
12-2 外延生長(cháng)GaN襯底材料的選擇
12-3 外延生長(cháng)的發(fā)展趨勢
12-4 外延片結構改進(jìn)
第13章 其他半導體材料
13-1 窄帶隙半導體
13-2 黃銅礦型半導體
13-3 非晶態(tài)半導體材料
13-4 有機半導體材料
參考文獻
京公網(wǎng)安備 11000002000088號
