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    晶體生長(cháng)原理與技術(shù)(第二版)簡(jiǎn)介,目錄書(shū)摘

    2020-02-17 14:33 來(lái)源:京東 作者:京東
    原理
    晶體生長(cháng)原理與技術(shù)(第二版)
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    內容簡(jiǎn)介:本書(shū)分4篇探討晶體生長(cháng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(cháng)的基本原理,分5章對晶體生長(cháng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(cháng)形態(tài)及晶體生長(cháng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(cháng)的技術(shù)基礎,分3章進(jìn)行晶體生長(cháng)過(guò)程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對流)、化學(xué)基礎問(wèn)題(材料的提純與合成問(wèn)題)以及物理基礎(電、磁、力的作用原理)的綜合分析。第三篇為晶體生長(cháng)技術(shù),分4章分別對以Bridgman法為主的熔體法晶體生長(cháng)、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長(cháng)、溶液法晶體生長(cháng)以及氣相晶體生長(cháng)技術(shù)與**發(fā)展進(jìn)行介紹。第四篇分2章分別對晶體生長(cháng)過(guò)程中缺陷的形成與控制和晶體的結構與性能表征方法進(jìn)行論述。
    作者簡(jiǎn)介:
    目錄:
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