深亞微米CMOS模擬集成電路設計簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2020-05-25 10:42
來(lái)源：京東
作者：京東
深亞微米CMOS模擬集成電路設計
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內容簡(jiǎn)介: 《深亞微米CMOS模擬集成電路設計》著(zhù)眼于電路設計，首先介紹雙極結型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導體（MOS）晶體管的抽象模型，然后介紹如何利用晶體管構建更大的系統。主要內容包括：運算放大器、數據轉換器、奈奎斯特數據轉換器、過(guò)采樣數據轉換器、高精度數據轉換器、鎖相環(huán)、頻率綜合和時(shí)鐘恢復等?！渡顏單⒚證MOS模擬集成電路設計》對模擬設計概念的描述將訴諸更加直觀(guān)的方法而不是繁瑣的公式推導。
《深亞微米CMOS模擬集成電路設計》可以作為工科院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級本科生和研究生的參考用書(shū)，也可以供半導體和集成電路設計領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀。
《深亞微米CMOS模擬集成電路設計》可以作為工科院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級本科生和研究生的參考用書(shū)，也可以供半導體和集成電路設計領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀。
作者簡(jiǎn)介:
宋邦燮（Bang-Sup Song）博士，1973年獲首爾國立大學(xué)（Seoul National University）學(xué)士學(xué)位，1975年獲韓國科學(xué)技術(shù)院（Korea Advanced Institute of Science）碩士學(xué)位，1983年獲加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位。1975年至1978年，供職于韓國國防科學(xué)研究所（Agency for Defense Development，Korea）。1983年至1986年，供職于新澤西州默里山AT&T貝爾實(shí)驗室，同時(shí)任新澤西州羅格斯大學(xué)電子工程系訪(fǎng)問(wèn)學(xué)者。1986年至1999年，任厄巴納伊利諾伊大學(xué)電子和計算機工程系以及協(xié)同科學(xué)實(shí)驗室（Coordinated Science Laboratory）教授。1999年，進(jìn)入加州大學(xué)圣地亞哥分校電子和計算機工程系，被授予無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域Charles Lee Powell講席教授職位。
宋博士于1986年獲AT &-T貝爾實(shí)驗室Distinguished Technical Staff獎，1987年獲模擬器件公司Career Development Professor獎，1995年獲伊利諾伊大學(xué)Xerox Senior Faculty Research獎。宋博士在美國電氣電子工程師協(xié)會(huì )（IEEE）的學(xué)術(shù)兼職包括IEEE固態(tài)電路雜志（JSSC）、IEEE電路與系統雜志（TCAS）副主編，國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）、國際電路與系統年會(huì )（ISCAS）組委會(huì )成員。宋博士是美國電氣電子工程師學(xué)會(huì )院士（IEEE Fellow）。
宋博士于1986年獲AT &-T貝爾實(shí)驗室Distinguished Technical Staff獎，1987年獲模擬器件公司Career Development Professor獎，1995年獲伊利諾伊大學(xué)Xerox Senior Faculty Research獎。宋博士在美國電氣電子工程師協(xié)會(huì )（IEEE）的學(xué)術(shù)兼職包括IEEE固態(tài)電路雜志（JSSC）、IEEE電路與系統雜志（TCAS）副主編，國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）、國際電路與系統年會(huì )（ISCAS）組委會(huì )成員。宋博士是美國電氣電子工程師學(xué)會(huì )院士（IEEE Fellow）。
目錄:第1章 放大器基礎
1.1 激勵點(diǎn)和傳遞函數
1.2 頻率響應
1.3 穩定性判據
1.4 運算放大器用于負反饋
1.5 相位裕度
1.6 瞬態(tài)響應
1.7 反饋放大器
1.8 反饋的作用
1.9 左半平面和右半平面零點(diǎn)
1.10 反饋放大器的穩定性
第2章 放大器的設計
2.1 晶體管的低頻抽象模型
2.1.1 大信號
2.1.2 小信號
2.1.3 跨導g。和輸出電阻
2.1.4 小信號模型
2.1.5 體效應
2.2 低頻激勵點(diǎn)電阻
2.3 電阻反射定律
2.4 三種基本放大器組態(tài)
2.5 九種組合放大器
2.5.1 共源一共源結構
2.5.2 共源一共柵結構
2.5.3 共源一共漏結構
2.5.4 共柵一共源、共柵一共柵、共柵一共漏結構
2.5.5 共漏一共源結構
2.5.6 共漏一共柵結構
2.5.7 共漏一共漏結構
2.6 差分對
2.6.1 共模抑制
2.6.2 對稱(chēng)的傳遞函數
2.7 增益自舉
2.7.1 零極點(diǎn)對的約束
2.7.2 其他增益自舉的概念
2.8 偏置
2.8.1 最大化信號擺幅的套筒結構的偏置
2.8.2 電流源的匹配
2.9 電壓源和電流源
2.9.1 以Vcs和AVGs為參考的電流源
2.9.2 帶隙參考
參考文獻
第3章 運算放大器
3.1 運算放大器的小信號模型
3.2 運算放大器的頻率補償
3.2.1 并聯(lián)補償
3.2.2 極點(diǎn)分裂米勒補償
3.3 兩級米勒補償運算放大器的相位裕度
3.4 兩級運算放大器右半平面零點(diǎn)的消除技術(shù)
3.4.1 插入串聯(lián)電阻
3.4.2 利用源極跟隨器形成反饋
3.4.3 利用附加的增益級對Gm自舉
3.5 負反饋運算放大器的瞬態(tài)響應
3.5.1 壓擺率
3.5.2 全功率帶寬
3.6 運算放大器設計舉例
3.6.1 三級套筒式運算放大器
……
第4章 數據轉換器基礎
第5章 奈奎斯特數據轉換器
第6章 過(guò)采樣數據轉換器
第7章 高精度數據轉換器
第8章 鎖相環(huán)基礎
第9章 頻率綜合和時(shí)鐘恢復
1.1 激勵點(diǎn)和傳遞函數
1.2 頻率響應
1.3 穩定性判據
1.4 運算放大器用于負反饋
1.5 相位裕度
1.6 瞬態(tài)響應
1.7 反饋放大器
1.8 反饋的作用
1.9 左半平面和右半平面零點(diǎn)
1.10 反饋放大器的穩定性
第2章 放大器的設計
2.1 晶體管的低頻抽象模型
2.1.1 大信號
2.1.2 小信號
2.1.3 跨導g。和輸出電阻
2.1.4 小信號模型
2.1.5 體效應
2.2 低頻激勵點(diǎn)電阻
2.3 電阻反射定律
2.4 三種基本放大器組態(tài)
2.5 九種組合放大器
2.5.1 共源一共源結構
2.5.2 共源一共柵結構
2.5.3 共源一共漏結構
2.5.4 共柵一共源、共柵一共柵、共柵一共漏結構
2.5.5 共漏一共源結構
2.5.6 共漏一共柵結構
2.5.7 共漏一共漏結構
2.6 差分對
2.6.1 共模抑制
2.6.2 對稱(chēng)的傳遞函數
2.7 增益自舉
2.7.1 零極點(diǎn)對的約束
2.7.2 其他增益自舉的概念
2.8 偏置
2.8.1 最大化信號擺幅的套筒結構的偏置
2.8.2 電流源的匹配
2.9 電壓源和電流源
2.9.1 以Vcs和AVGs為參考的電流源
2.9.2 帶隙參考
參考文獻
第3章 運算放大器
3.1 運算放大器的小信號模型
3.2 運算放大器的頻率補償
3.2.1 并聯(lián)補償
3.2.2 極點(diǎn)分裂米勒補償
3.3 兩級米勒補償運算放大器的相位裕度
3.4 兩級運算放大器右半平面零點(diǎn)的消除技術(shù)
3.4.1 插入串聯(lián)電阻
3.4.2 利用源極跟隨器形成反饋
3.4.3 利用附加的增益級對Gm自舉
3.5 負反饋運算放大器的瞬態(tài)響應
3.5.1 壓擺率
3.5.2 全功率帶寬
3.6 運算放大器設計舉例
3.6.1 三級套筒式運算放大器
……
第4章 數據轉換器基礎
第5章 奈奎斯特數據轉換器
第6章 過(guò)采樣數據轉換器
第7章 高精度數據轉換器
第8章 鎖相環(huán)基礎
第9章 頻率綜合和時(shí)鐘恢復
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