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    光電信息科學(xué)與工程類(lèi)專(zhuān)業(yè)規劃教材:半導體光電子學(xué)(第2版)簡(jiǎn)介,目錄書(shū)摘

    2019-10-15 17:32 來(lái)源:京東 作者:京東
    半導體
    光電信息科學(xué)與工程類(lèi)專(zhuān)業(yè)規劃教材:半導體光電子學(xué)(第2版)
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    編輯推薦:  半導體光電子學(xué)是研究半導體中光子與電子相互作用、光能與電能相互轉換的一門(mén)科學(xué),涉及量子力學(xué)、固體物理、半導體物理等一些基礎物理,也關(guān)聯(lián)著(zhù)半導體光電子材料及其相關(guān)器件,在信息和能源等領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用。
    內容簡(jiǎn)介:  半導體光電子學(xué)是研究半導體中光子與電子相互作用、光能與電能相互轉換的一門(mén)科學(xué),涉及量子力學(xué)、固體物理、半導體物理等一些基礎物理,也關(guān)聯(lián)著(zhù)半導體光電子材料及其相關(guān)器件,在信息和能源等領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用。
      《光電信息科學(xué)與工程類(lèi)專(zhuān)業(yè)規劃教材:半導體光電子學(xué)(第2版)》是作者在1989年原版基礎上經(jīng)過(guò)修改和較大篇幅的內容更新與拓展而成的,將半導體中電子與光子的相互作用、光能與電能的相互轉換貫穿始終,重點(diǎn)關(guān)注各種光電子器件在材料、結構上的兼容性和實(shí)現集成功能的可能性,力求反映半導體光電子學(xué)的一些主要和最新的進(jìn)展。全書(shū)共分10章,第1~5章和第9章是原版內容的修改和擴充,包括半導體中光子,電子的互作用、異質(zhì)結、平板介質(zhì)光波導理論、異質(zhì)結半導體激光器、半導體激光器的性能、半導體中的光吸收和光探測器;其余4章是依據半導體光電子學(xué)的最新進(jìn)展而編寫(xiě)的,包括低維量子半導體材料、半導體光放大器(SOA)、可見(jiàn)光半導體光發(fā)射器件、半導體光電子器件集成。
      《光電信息科學(xué)與工程類(lèi)專(zhuān)業(yè)規劃教材:半導體光電子學(xué)(第2版)》可作為大學(xué)理科光學(xué)專(zhuān)業(yè)、工科物理電子學(xué)、光學(xué)工程和光電信息工程等專(zhuān)業(yè)本科生的教學(xué)用書(shū)和相關(guān)專(zhuān)業(yè)研究生的參考用書(shū),也可供相關(guān)科技工作者參考。
    作者簡(jiǎn)介:
    目錄:緒論
    第1章 半導體中光子——電子的互作用
    1.1 半導體中量子躍遷的特點(diǎn)
    1.2 直接帶隙與間接帶隙躍遷
    1.2.1 概述
    1.2.2 電子在能帶之間躍遷的幾率
    1.2.3 電子在淺雜質(zhì)能級和與其相對的能帶之間的躍遷
    1.2.4 重摻雜下帶-帶躍遷
    1.3 光子密度分布與能量分布
    1.4 電子態(tài)密度與占據幾率
    1.5 躍遷速率與愛(ài)因斯坦關(guān)系
    1.5.1 凈的受激發(fā)射速率和半導體激光器粒子數反轉條件
    1.5.2 自發(fā)發(fā)射與受激發(fā)射速率之間的關(guān)系
    1.5.3 凈受激發(fā)射速率與增益系數的關(guān)系
    1.5.4 凈的受激吸收速率與吸收系數
    1.6 半導體中的載流子復合
    1.6.1 自發(fā)輻射復合速率
    1.6.2 俄歇(Auger)復合
    1.7 增益系數與電流密度的關(guān)系
    思考與習題
    參考文獻

    第2章 異質(zhì)結
    2.1 異質(zhì)結及其能帶圖
    2.1.1 pN異型質(zhì)結
    2.1.2 突變同型異質(zhì)結
    2.1.3 漸變異質(zhì)結
    2.2 異質(zhì)結在半導體光電子學(xué)器件中的作用
    2.2.1 在半導體激光器中的作用
    2.2.2 異質(zhì)結在發(fā)光二極管(LED)中的作用
    2.2.3 異質(zhì)結在光電二極管探測器中的應用
    2.3 異質(zhì)結中的晶格匹配
    2.4 對注入激光器異質(zhì)結材料的要求
    2.4.1 從激射波長(cháng)出發(fā)來(lái)選擇半導體激光器的有源材料
    2.4.2 從晶格匹配來(lái)考慮異質(zhì)結激光器材料
    2.4.3 由異質(zhì)結的光波導效應來(lái)選擇半導體激光器材料
    2.4.4 襯底材料的考慮
    2.5 異質(zhì)結對載流子的限制
    2.5.1 異質(zhì)結勢壘對電子和空穴的限制
    2.5.2 由泄漏載流子引起的漏電流
    2.5.3 載流子泄漏對半導體激光器的影響
    思考與習題
    參考文獻

    第3章 平板介質(zhì)光波導理論
    3.1 光波的電磁場(chǎng)理論
    3.1.1 基本的電磁場(chǎng)理論
    3.1.2 光學(xué)常數與電學(xué)常數之間的關(guān)系
    3.2 光在平板介質(zhì)波導中的傳輸特性
    3.2.1 平板介質(zhì)波導的波分析方法
    3.2.2 平板介質(zhì)波導的射線(xiàn)分析法
    3.3 矩形介質(zhì)波導
    思考與習題
    參考文獻

    第4章 異質(zhì)結半導體激光器
    4.1 概述
    4.2 光子在諧振腔內的振蕩
    4.3 在同質(zhì)結基礎上發(fā)展的異質(zhì)結激光器
    4.3.1 同質(zhì)結激光器
    4.3.2 單異質(zhì)結半導體激光器
    4.3.3 雙異質(zhì)結激光器
    4.4 條形半導體激光器
    4.4.1 條形半導體激光器的特點(diǎn)
    4.4.2 條形激光器中的側向電流擴展和側向載流子擴散
    4.5 條形激光器中的增益光波導
    4.5.1 概述
    4.5.2 增益波導的數學(xué)分析
    4.5.3 增益波導激光器中的象散、K因子
    4.5.4 側向折射率分布對增益波導的影響
    4.6 垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)
    4.6.1 概述
    4.6.2 VCSEL的結構
    4.6.3 布拉格反射器
    4.7 分布反饋(DFB)半導體激光器
    4.7.1 概述
    ……

    第5章 半導體激光器的性能
    第6章 低維量子半導體材料
    第7章 半導體光放大器(SOA)
    第8章 可見(jiàn)光半導體光發(fā)射器件
    第9章 半導體中的光吸收和光探測器
    第10章 半導體光電子器件集成
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