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    半導體照明技術(shù)(第二版)簡(jiǎn)介,目錄書(shū)摘

    2020-01-02 14:49 來(lái)源:京東 作者:京東
    半導體技術(shù)
    半導體照明技術(shù)(第二版)
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    內容簡(jiǎn)介:

    本書(shū)在介紹半導體照明器件———發(fā)光二極管的材料、機理及其制造技術(shù)的同時(shí),詳細講解了器件的光 電參數測試方法,器件的可靠性分析、驅動(dòng)和控制方法,以及各種半導體照明的應用技術(shù)。本書(shū)內容系統、 全面,通過(guò)理論聯(lián)系實(shí)際,重點(diǎn)突出了 “半導體照明”主題,反映了國內外*新的應用技術(shù)。

    作者簡(jiǎn)介:

    方志烈,1938年2月出生于江蘇江陰。1961年畢業(yè)于復旦大學(xué)并留校任教,現任該校教授。中國發(fā)光學(xué)會(huì )理事。上海市通信學(xué)會(huì )光通信專(zhuān)業(yè)委員會(huì )委員。

    目錄:第1章光視覺(jué)顏色
    1.1光
    1.1.1光的本質(zhì)
    1.1.2光的產(chǎn)生和傳播
    1.1.3人眼的光譜靈敏度
    1.1.4光度學(xué)及其測量
    1.2視覺(jué)
    1.2.1作為光學(xué)系統的人眼
    1.2.2視覺(jué)的特征與功能
    1.3顏色
    1.3.1顏色的性質(zhì)
    1.3.2國際照明委員會(huì )色度學(xué)系統
    1.3.3色度學(xué)及其測量
    第2章光源
    2.1自然光源
    2.1.1太陽(yáng)
    2.1.2月亮和行星
    2.2人工光源
    2.2.1人工光源的發(fā)明與發(fā)展
    2.2.2白熾燈
    2.2.3鹵鎢燈
    2.2.4熒光燈
    2.2.5低壓鈉燈
    2.2.6高壓放電燈
    2.2.7無(wú)電極放電燈
    2.2.8發(fā)光二極管
    2.2.9照明的經(jīng)濟核算
    第3章半導體發(fā)光材料晶體導論
    3.1晶體結構
    3.1.1空間點(diǎn)陣
    3.1.2晶面與晶向
    3.1.3閃鋅礦結構、金剛石結構和纖鋅礦結構
    3.1.4缺陷及其對發(fā)光的影響
    3.2能帶結構
    3.3半導體晶體材料的電學(xué)性質(zhì)
    3.3.1費米能級和載流子
    3.3.2載流子的漂移和遷移率
    3.3.3電阻率和載流子濃度
    3.3.4壽命
    3.4半導體發(fā)光材料的條件
    3.4.1帶隙寬度合適
    3.4.2可獲得電導率高的p型和n型晶體
    3.4.3可獲得完整性好的優(yōu)質(zhì)晶體
    3.4.4發(fā)光復合概率大
    第4章半導體的激發(fā)與發(fā)光
    4.1pn結及其特性
    4.1.1理想的pn結
    4.1.2實(shí)際的pn結
    4.2注入載流子的復合
    4.2.1復合的種類(lèi)
    4.2.2輻射型復合
    4.2.3非輻射型復合
    4.3輻射與非輻射復合之間的競爭
    4.4異質(zhì)結構和量子阱
    4.4.1異質(zhì)結構
    4.4.2量子阱
    第5章半導體發(fā)光材料體系
    5.1砷化鎵
    5.2磷化鎵
    5.3磷砷化鎵
    5.3.1GaAs0.60P0.40/GaAs
    5.3.2晶體中的雜質(zhì)和缺陷對發(fā)光效率的影響
    5.4鎵鋁砷
    5.5鋁鎵銦磷
    5.6銦鎵氮
    第6章半導體照明光源的發(fā)展和特征參量
    6.1發(fā)光二極管的發(fā)展
    6.2發(fā)光二極管材料生長(cháng)方法
    6.3高亮度發(fā)光二極管芯片結構
    6.3.1單量子阱(SQW)結構
    6.3.2多量子阱(MQW)結構
    6.3.3分布布拉格反射(DBR)結構
    6.3.4透明襯底技術(shù)(Transparent Substrate,TS)
    6.3.5鏡面襯底(Mirror Substrate,MS)
    6.3.6透明膠質(zhì)黏結型
    6.3.7表面紋理結構
    6.4照明用LED的特征參數和要求
    6.4.1光通量
    6.4.2發(fā)光效率
    6.4.3顯色指數
    6.4.4色溫
    6.4.5壽命
    6.4.6穩定性
    6.4.7熱阻
    6.4.8抗靜電性能
    第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長(cháng)
    7.1磷砷化鎵氫化物氣相外延生長(cháng)(HVPE)
    7.2氫化物外延體系的熱力學(xué)分析
    7.3液相外延原理
    7.4磷化鎵的液相外延
    7.4.1磷化鎵綠色發(fā)光材料外延生長(cháng)
    7.4.2磷化鎵紅色發(fā)光材料外延生長(cháng)
    7.5鎵鋁砷的液相外延
    第8章鋁鎵銦磷發(fā)光二極管
    8.1AlGaInP金屬有機物化學(xué)氣相沉積通論
    8.1.1源材料
    8.1.2生長(cháng)條件
    8.1.3器件生長(cháng)
    8.2外延材料的規模生產(chǎn)問(wèn)題
    8.2.1反應器問(wèn)題:輸送和排空處理
    8.2.2均勻性的重要性
    8.2.3源的質(zhì)量問(wèn)題
    8.2.4顏色控制問(wèn)題
    8.2.5生產(chǎn)損耗問(wèn)題
    8.3電流擴展
    8.3.1歐姆接觸的改進(jìn)
    8.3.2p型襯底上生長(cháng)
    8.3.3電流擴展窗層
    8.3.4氧化銦錫(ITO)
    8.4電流阻擋結構
    8.5光的取出
    8.5.1上窗設計
    8.5.2襯底吸收
    8.5.3分布布拉格反射LED
    8.5.4GaP晶片黏結透明襯底LED
    8.5.5膠質(zhì)黏著(zhù)(藍寶石晶片黏結)
    8.5.6紋理表面結構
    8.6芯片制造技術(shù)
    8.7器件特性
    第9章銦鎵氮發(fā)光二極管
    9.1GaN生長(cháng)
    9.1.1未摻雜GaN
    9.1.2n型GaN
    9.1.3p型GaN
    9.1.4GaN pn結LED
    9.2InGaN生長(cháng)
    9.2.1未摻InGaN
    9.2.2摻雜InGaN
    9.3InGaN LED
    9.3.1InGaN/GaN雙異質(zhì)結LED
    9.3.2InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結LED
    9.3.3InGaN單量子阱(SQW)結構LED
    9.3.4高亮度綠色和藍色LED
    9.3.5InGaN多量子阱(MQW)結構LED
    9.3.6紫外LED
    9.3.7AlGaN深紫外LED
    9.3.8硅襯底GaN藍光LED
    9.4提高質(zhì)量和降低成本的幾個(gè)重要技術(shù)問(wèn)題
    9.4.1襯底
    9.4.2緩沖層
    9.4.3激光剝離(LLO)
    9.4.4氧化銦錫(ITO)
    9.4.5表面紋理結構
    9.4.6圖形襯底技術(shù)(PSS)
    9.4.7微矩陣發(fā)光二極管(MALED)
    9.4.8光子晶體(Photonic Crystal,PC)LED
    9.4.9金屬垂直光子LED(MVP LED)
    第10章LED芯片制造技術(shù)
    10.1光刻技術(shù)
    10.2氮化硅生長(cháng)
    10.3擴散
    10.4歐姆接觸電極
    10.5ITO透明電極
    10.6表面粗化
    10.7光子晶體
    10.8激光剝離(Laser Liftoff,LLO)
    10.9倒裝芯片技術(shù)
    10.10垂直結構芯片技術(shù)
    10.11芯片的切割
    10.12LED芯片結構的發(fā)展
    第11章白光發(fā)光二極管
    11.1新世紀光源的研制目標
    11.2人造白光的最佳化
    11.2.1發(fā)光效率和顯色性的折中
    11.2.2二基色體系
    11.2.3多基色體系
    11.3熒光粉轉換白光LED
    11.3.1二基色熒光粉轉換白光LED
    11.3.2多基色熒光粉轉換白光LED
    11.3.3紫外LED激發(fā)多基色熒光粉
    11.4多芯片白光LED
    11.4.1二基色多芯片白光LED
    11.4.2多基色多芯片白光LED
    第12章LED封裝技術(shù)
    12.1LED器件的設計
    12.1.1設計原則
    12.1.2電學(xué)設計
    12.1.3熱學(xué)設計
    12.1.4光學(xué)設計
    12.1.5視覺(jué)因素
    12.2LED封裝技術(shù)
    12.2.1小功率LED封裝
    12.2.2SMD LED的封裝
    12.2.3芯片級封裝(CSP)
    12.2.4大電流LED的封裝
    12.2.5功率LED的封裝
    12.2.6功率LED組件
    12.2.7銦鎵氮類(lèi)LED的防靜電措施
    第13章發(fā)光二極管的測試
    13.1發(fā)光器件的效率
    13.1.1發(fā)光效率
    13.1.2功率效率
    13.1.3量子效率
    13.2電學(xué)參數
    13.2.1伏安特性
    13.2.2總電容
    13.3光電特性參數——光電響應特性
    13.4光度學(xué)參數
    13.4.1法向光強I0的測定
    13.4.2發(fā)光強度角分布(半強度角和偏差角)
    13.4.3總光通量的測量
    13.4.4量值傳遞
    13.5色度學(xué)參數
    13.5.1光譜分布曲線(xiàn)
    13.5.2光電積分法測量色度坐標
    13.6熱學(xué)參數(結溫、熱阻)
    13.7靜電耐受性
    第14章發(fā)光二極管的可靠性
    14.1LED可靠性概念
    14.1.1可靠性的含義
    14.1.2可靠度的定義
    14.1.3LED可靠性的相關(guān)概念
    14.2LED的失效分析
    14.2.1芯片的退化
    14.2.2環(huán)氧系塑料的壽命分析
    14.2.3管芯的壽命分析
    14.2.4熒光粉的退化
    14.3可靠性試驗
    14.3.1小功率LED環(huán)境試驗
    14.3.2功率LED環(huán)境試驗
    14.4壽命試驗
    14.4.1磷化鎵發(fā)光器件的壽命試驗
    14.4.2功率LED(白光)長(cháng)期工作壽命試驗
    14.4.3加速壽命試驗
    14.5可靠性篩選
    14.5.1功率老化
    14.5.2高溫老化
    14.5.3濕度試驗
    14.5.4高低溫循環(huán)
    14.5.5其他項目的選用
    14.6例行試驗和鑒定驗收試驗
    14.6.1例行試驗
    14.6.2鑒定驗收試驗
    第15章有機發(fā)光二極管
    15.1有機發(fā)光二極管材料
    15.1.1小分子有機物
    15.1.2高分子聚合物
    15.1.3鑭系金屬有機化合物
    15.2有機發(fā)光二極管的結構和原理
    15.3OLED實(shí)現白光的途徑
    15.3.1波長(cháng)轉換
    15.3.2顏色混合
    15.4有機發(fā)光二極管的驅動(dòng)
    15.5有機發(fā)光二極管研發(fā)現狀
    第16章半導體照明驅動(dòng)和控制
    16.1LED驅動(dòng)技術(shù)
    16.1.1LED的電學(xué)性能特點(diǎn)
    16.1.2電源驅動(dòng)方案
    16.1.3驅動(dòng)電路基本方案
    16.1.4LED驅動(dòng)器的特性
    16.1.5LED與驅動(dòng)器的匹配
    16.2LED驅動(dòng)器
    16.2.1電容降壓式LED驅動(dòng)器
    16.2.2電感式LED驅動(dòng)器
    16.2.3電荷泵式LED驅動(dòng)器
    16.2.4LED恒流驅動(dòng)器
    16.3LED集成驅動(dòng)電路
    16.3.1電荷泵驅動(dòng)LED的典型電路
    16.3.2開(kāi)關(guān)式DC/DC變換器驅動(dòng)LED的典型電路
    16.3.3限流開(kāi)關(guān)TPS2014/TPS2015
    16.3.4六路串聯(lián)白光LED驅動(dòng)電路MAX8790
    16.3.5集成肖特基二極管的恒流白光LED驅動(dòng)器LT3591
    16.3.6低功耗高亮度LED驅動(dòng)器LM3404
    16.3.7具有診斷功能的16通道LED驅動(dòng)器AS1110
    16.3.8高壓線(xiàn)性恒流LED驅動(dòng)電路
    16.4控制技術(shù)
    16.4.1調光
    16.4.2調色
    16.4.3調色溫
    16.4.4智能照明
    第17章半導體照明應用
    17.1半導體照明應用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)原則
    17.1.1要從LED的優(yōu)點(diǎn)出發(fā)開(kāi)發(fā)應用產(chǎn)品
    17.1.2應用產(chǎn)品市場(chǎng)啟動(dòng)的判據——照明成本
    17.1.3應用產(chǎn)品的技術(shù)關(guān)鍵是散熱
    17.1.4遵循功率由低到高、技術(shù)由易到難的原則
    17.1.5造型設計要創(chuàng )新
    17.1.6照明燈具通則
    17.2LED顯示屏
    17.2.1總體發(fā)展規模
    17.2.2產(chǎn)品技術(shù)完善
    17.2.3新品繼續拓展
    17.3交通信號燈
    17.3.1道路交通信號燈
    17.3.2鐵路信號燈
    17.3.3機場(chǎng)信號燈
    17.3.4航標燈
    17.3.5路障燈
    17.3.6航空障礙燈
    17.4景觀(guān)照明
    17.4.1城市景觀(guān)照明的功能作用
    17.4.2光源選擇

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