微電子器件與IC設計基礎（第二版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

編輯推薦:　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）》特點(diǎn)：
　　系統論述微電子器件理論基礎
　　重點(diǎn)論述集成電路設計的軟件、硬件及設計的方法與流程
　　以CMOS電路為對象，講述現代新EDA軟件的應用及版圖設計
　　將物理、器件和集成電路的理論．技術(shù)綜合貫通，融為一體

內容簡(jiǎn)介:　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）》主要講述微電子器件和集成電路的基礎理論。內容包括：微電子器件物理基礎；PN結；雙極晶體管及MOSFET結構、工作原理和特性；JFET及MES-FET概要；集成電路基本概念及集成電路設計方法。共計7章。
　　《微電子器件與IC設計基礎（第二版）》可作為高等院校通信、計算機、自動(dòng)化、光電等專(zhuān)業(yè)本科生學(xué)習微電子及IC方面知識的技術(shù)基礎課教材。由于采用“積木式”結構，也可作為電子科學(xué)與技術(shù)及相關(guān)專(zhuān)業(yè)的本、專(zhuān)科高年級學(xué)生及研究生的專(zhuān)業(yè)課教材，又可作為從事微電子科學(xué)、電子器件、集成電路等工程研究和應用的有關(guān)人員的自學(xué)教材與參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:第二版前言
第一版前言
符號表

第1章 半導體物理基礎
1．1 半導體材料
1．1．1 半導體材料的原子構成
1．1．2 半導體材料的晶體結構
1．2 半導體中的電子
1．2．1 量子力學(xué)簡(jiǎn)介
1．2．2 半導體中電子的特性與能帶
1．2．3 載流子
1．3 熱平衡狀態(tài)下載流子的濃度
1．3．1 電子的統計分布規律
1．3．2 載流子濃度與費米能級的關(guān)系
1．3．3 本征半導體與雜質(zhì)半導體
1．4 載流子的輸運
1．4．1 載流子的散射
1．4．2 載流子的漂移運動(dòng)與遷移率
1．4．3 漂移電流與電導率
1．4．4 擴散運動(dòng)與擴散系數
1．4．5 電流密度方程與愛(ài)因斯坦關(guān)系式
1．5 非平衡載流子
1．5．1 非平衡載流子的復合與壽命
1．5．2 準費米能級
1．6 連續性方程與擴散方程
1．6．1 連續性方程
1．6．2 擴散方程
思考題1
習題1

第2章 PN結
2．1 平衡PN結能帶圖及空間電荷區
2．1．1 平衡PN結能帶圖
2．1．2 PN結的形成過(guò)程
2．1．3 平衡PN結的載流子濃度分布
2．2 理想PN結的伏安特性
2．2．1 PN結的正向特性
2．2．2 PN結的反向特性
2．2．3 理想PN結的伏安特性
2．3 實(shí)際PN結的特性
2．3．1 PN結空間電荷區中的復合電流
2．3．2 PN結空間電荷區中的產(chǎn)生電流
2．3．3 PN結表面漏電流與表面復合、產(chǎn)生電流
2．3．4 PN結的溫度特性
2．4 PN結的擊穿
2．4．1 PN結空間電荷區中的電場(chǎng)
2．4．2 PN結的雪崩擊穿和隧道擊穿
2．5 PN結的電容
2．5．1 PN結的勢壘電容
2．5．2 PN結的擴散電容
思考題2
習題2

第3章 雙極晶體管
3．1 雙極晶體管的結構
3．1．1 基本結構
3．1．2 晶體管的雜質(zhì)分布
3．1．3 晶體管的實(shí)際結構
3．1．4 晶體管的結構特點(diǎn)
3．1．5 集成電路中的晶體管
3．2 雙極晶體管的放大原理
3．2．1 晶體管直流短路電流放大系數
3．2．2 晶體管內載流子的傳輸
3．2．3 發(fā)射效率和基區輸運系數
3．2．4 共基極直流電流放大系數
3．2．5 共射極直流電流放大系數島
3．3 雙極晶體管電流增益
3．3．1 均勻基區晶體管直流電流增益
3．3．2 緩變基區晶體管直流電流增益
3．3．3 影響電流放大系數的因素
3．3．4 大電流下晶體管放大系數的下降
3．4 雙極晶體管常用直流參數
3．4．1 反向截止電流
3．4．2 擊穿電壓
3．4．3 集電極最大電流
3．4．4 基極電阻
3．5 雙極晶體管盲流伏安特性
3．5．1 均勻基區晶體管直流伏安特性
3．5．2 雙極晶體管的特性曲線(xiàn)
3．5．3 Ebers-Moll模型
3．6 交流小信號電流增益及頻率特性參數
3．6．1 交流小信號電流傳輸
3．6．2 BJT交流小信號模型
3．6．3 交流小信號傳輸延遲時(shí)間
3．6．4 交流小信號電流增益
3．6．5 頻率特性參數
3．7 雙極晶體管的開(kāi)關(guān)特性
3．7．1 晶體管的開(kāi)關(guān)作用
3．7．2 正向壓降和飽和壓降
3．7．3 晶體管的開(kāi)關(guān)過(guò)程
3．7．4 雙極晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間
思考題3
習題3

第4章 結型場(chǎng)效應晶體管
4．1 JFET結構與工作原理
4．1．1 PNJFET基本結構
4．1．2 JFET工作原理
4．1．3 JFET特性曲線(xiàn)
4．1．4 夾斷電壓及飽和漏源電壓
4．2 MESFET
4．2．1 金屬與半導體接觸
4．2．2 MESFET基本結構
4．2．3 MESFET工作原理
4．3 JFET直流特性
4．4 直流特性的非理想效應
4．4．1 溝道長(cháng)度調制效應
4．4．2 速度飽和效應
4．4．3 亞閾值電流
4．5 JFET的交流小信號特性
4．5．1 JFET的低頻交流小信號參數
4．5．2 JFET本征電容
4．5．3 交流小信號等效電路
4．5．4 JFET的頻率參數
思考題4
習題4

第5章 MOSFET
5．1 MOS結構及其特性
5．2 MOSFET的結構及工作原理
5．2．1 MOSFET基本結構
5．2．2 MOSFET基本類(lèi)型
5．2．3 MOSFET基本工作原理
5．2．4 MOSFET轉移特性
5．2．5 MOSFET輸出特性
5．3 MOSFET的閾值電壓
5．3．1 閾值電壓的含義
5．3．2 平帶電壓
5．3．3 實(shí)際MOS結構的電荷分布
5．3．4 閾值電壓表示式
5．3．5 VBS≠O時(shí)的閾值電壓
5．3．6 影響閾值電壓的因素
5．4 MOSFET直流特性
5．4．1 薩支唐方程
5．4．2 影響直流特性的因素
5．4．3 擊穿特性
5．4．4 亞閾特性
5．5 MOSFET小信號特性
5．5．1交流小信號參數
5．5．2本征電容
5．5．3交流小信號等效電路
5．5．4 截止頻率
5．6 MOSFET開(kāi)關(guān)特性
5．6．1 開(kāi)關(guān)原理
5．6．2 開(kāi)關(guān)時(shí)間
5．7 短溝道效應及按比例縮小規則
5．7．1 短溝道效應的含義
5．7．2 短溝道對閾值電壓的影響
5．7．3 窄溝道對閾值電壓的影響
5．7．4 按比例縮小規則
思考題5
習題5

第6章 集成電路概論
6．1 什么是集成電路
6．2 集成電路的發(fā)展歷史
6．3 集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)及發(fā)展概況
6．4 集成電路分類(lèi)
6．5 集成電路工藝概述
6．5．1 外延生長(cháng)
6．5．2 氧化
6．5．3 摻雜
6．5．4 光刻
6．5．5 刻蝕
6．5．6 淀積
6．5．7 鈍化
6．6 CMOS工藝中的無(wú)源器件及版圖
6．6．1 電阻
6．6．2 電容
6．6．3 電感
6．7 CMOS工藝中的有源器件及版圖
6．7．1 NMOS
6．7．2 PMOS
6．7．3 NPN
6．7．4 PNI
6．8 CMOS反相器
6．8．1 CMOS反相器的直流特性
6．8．2 CMOS反相器的瞬態(tài)特性
6．8．3 CMOS反相器的功耗與設計
6．8．4 CMOS反相器的制作工藝及版圖
6．9 CMOS傳輸門(mén)
6．9．1 NMOS傳輸門(mén)的特性
6．9．2 PMOS傳輸門(mén)的特性
6．9．3 CMOS傳輸門(mén)的特性
6．10 CMOS放大器
6．10．1 共源放大器
6．10．2 源極跟隨器
6．10．3 共柵放大器
思考題6
習題6

第7章 集成電路設計基礎
7．1 模擬集成電路設計概述
7．2 模擬集成電路的設計流程及EDA
7．2．1 模擬集成電路設計一般流程
7．2．2 模擬集成電路設計相關(guān)EDA
7．2．3 模擬集成電路設計實(shí)例
7．3 數字集成電路設計流程及EDA
7．3．1 數字集成電路設計一般流程
7．3．2 數字集成電路設計相關(guān)EDA
7．3．3 Vetiog HDL及數字電路設計
7．4 集成電路版圖設計
7．4．1 集成電路版圖設計基本理論
7．4．2 版圖設計的方式
7．4．3 半定制數字集成電路版圖設計
7．4．4 全定制模擬集成電路版圖設計
思考題7
習題7
參考文獻

附錄
附錄A 硅電阻率與雜質(zhì)濃度關(guān)系
附錄B 硅中載流子遷移率與雜質(zhì)濃度關(guān)系
附錄C Si和GaAs在300K的性質(zhì)
附錄D 常用元素、二元及三元半導體性質(zhì)
附錄E 常用物理常數
附錄F 國際單位制（SI單位）
附錄G 單位詞頭