高頻集成電路設計簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

編輯推薦:

內容簡(jiǎn)介:本書(shū)著(zhù)重于晶體管級設計概述、密集型的高速高頻單片集成電路、從2～200GHz的無(wú)線(xiàn)和寬帶系統，并提供實(shí)際的模擬和設計項目，重點(diǎn)討論電路拓撲結構的相互作用和優(yōu)化，后還介紹了先進(jìn)的微波和毫米波系統芯片設計實(shí)例。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:目錄
出版者的話(huà)
寫(xiě)在前面
推薦語(yǔ)
譯者序
前言
第1章引言
1.1無(wú)線(xiàn)通信、光纖與成像系統中的高頻電路
1.2高頻集成電路簡(jiǎn)史
1.3展望未來(lái)
1.4高頻IC設計工程師
參考文獻
第2章高頻與高數據率通信系統
2.1無(wú)線(xiàn)與光纖通信系統
2.2射頻收發(fā)機
2.3調制技術(shù)
2.4接收機架構
2.5發(fā)射機架構
2.6接收機指標
2.7發(fā)射機指標
2.8鏈路預算
2.9相控陣
2.10其他系統應用舉例
總結
習題
參考文獻
第3章高頻線(xiàn)性帶噪聲網(wǎng)絡(luò )分析
3.1二端口與多端口網(wǎng)絡(luò )參數
3.2噪聲
3.3二端口與多端口網(wǎng)絡(luò )噪聲
3.4負反饋電路中的噪聲
總結
習題
參考文獻
第4章高頻器件
4.1高頻有源器件
4.2納米尺度MOS晶體管
4.3異質(zhì)結雙極型晶體管
4.4高電子遷移率晶體管
4.5高頻無(wú)源元件
總結
習題
參考文獻
第5章高頻集成電路分析技術(shù)
5.1模擬與高頻電路設計對比
5.2阻抗匹配
5.3調諧電路的結構和分析技術(shù)
5.4帶寬最大化技術(shù)
5.5高頻差分電路的挑戰
5.6非線(xiàn)性技術(shù)
總結
習題
參考文獻
第6章調諧功率放大器設計
6.1調諧PA基本原理
6.2調諧PA的分類(lèi)及相關(guān)的電壓波形
6.3PA的線(xiàn)性調制
6.4A類(lèi)PA的設計方法
6.5PA中的非理想因素
6.6CMOS和SiGe HBT毫米波PA設計實(shí)例
6.7效率提升技術(shù)
6.8功率合并技術(shù)
總結
習題
參考文獻
第7章低噪聲調諧放大器
7.1LNA性能規格和評價(jià)因子
7.2調諧LNA的設計目標
7.3低噪聲設計理念和原理
7.4電感退化結構的LNA
7.5功率約束的 CMOS LNA設計
7.6低電流CMOS反相器LNA
7.7低壓LNA結構
7.8其他LNA結構
7.9差分LNA設計方法
7.10調諧LNA的工藝波動(dòng)
7.11溫度波動(dòng)對調諧LNA的影響
7.12LNA中的低噪聲偏置網(wǎng)絡(luò )
7.13LNA的MOSFET版圖
總結
習題
參考文獻
第8章寬帶低噪聲放大器和跨阻放大器
8.1低噪聲寬帶高速數字接收機
8.2跨阻放大器技術(shù)指標
8.3跨阻放大器設計
8.4其他寬帶低噪聲放大器結構
8.5直流失調補償和VGATIA結構
總結
習題
參考文獻
第9章混頻器、開(kāi)關(guān)、調制器及其他控制電路
9.1混頻器基礎
9.2混頻器指標
9.3混頻器結構
9.4下變頻器設計方法
9.5上變頻器設計方法
9.6毫米波Gilbert單元混頻器實(shí)例
9.7鏡像抑制及單邊帶混頻器結構
9.8混頻器的仿真
9.9開(kāi)關(guān)、移相器和調制器
9.10Gilbert單元的版圖
習題
參考文獻
第10章壓控振蕩器的設計
10.1VCO基本原理
10.2低噪聲VCO結構
10.3VCO仿真技術(shù)
10.4VCO設計方法
10.5CMOS VCO頻率按比例縮放和工藝移植
10.6VCO的版圖
10.7毫米波VCO設計實(shí)例
總結
習題
參考文獻
第11章高速數字邏輯
11.1高速邏輯系統
11.2高速數字邏輯系列
11.3感性峰化
11.4電感帶寬擴展
11.5實(shí)現最大數據率的設計方法學(xué)
11.6BiCMOS MOSHBT邏輯
11.7偽CML邏輯
11.8其他雙極型、MOSCML和BiCMOS CML以及ECL邏輯門(mén)
11.9分頻器
11.10CML/ECL邏輯門(mén)版圖技術(shù)
總結
習題
參考文獻
第12章采用波形控制的高速數字驅動(dòng)器
12.1高速數字驅動(dòng)的類(lèi)型
12.2驅動(dòng)器的指標和FoM
12.3驅動(dòng)器架構與組成模塊
12.4輸出緩沖器
12.5前置驅動(dòng)器
12.6工作在40Gb/s及以上的分布式輸出驅動(dòng)器實(shí)例
12.7高速D/A轉換器
總結
習題
參考文獻
第13章SoC實(shí)例
13.1高頻SoC設計方法學(xué)
13.2應用于毫米波射頻電路、雷達和圖像傳感器的收發(fā)機架構、封裝和自測試
13.365GHz相控陣的SiGe BiCMOS與65nm CMOS實(shí)現對比
13.4SiGe 異質(zhì)結晶體管技術(shù)制造的77GHz、4通道汽車(chē)雷達收發(fā)機
13.5采用SiGeHBT工藝的70~80GHz有源成像器
13.6采用SiGe BiCMOS工藝，帶片上天線(xiàn)的150~168GHz有源成像收發(fā)機
總結
習題
參考文獻