太陽(yáng)電池光吸收層銅基薄膜的制備技術(shù)研究簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2019-11-08 17:10
來(lái)源：京東
作者：京東
太陽(yáng)電池光吸收層銅基薄膜的制備技術(shù)研究
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內容簡(jiǎn)介: 能源危機及環(huán)境污染日益嚴重，開(kāi)發(fā)清潔的綠色能源現已成為人類(lèi)面臨的重大課題。太陽(yáng)能取之不盡，用之不竭，是可再生的綠色能源之一。太陽(yáng)能發(fā)電是國際公認的具發(fā)展潛力的新能源產(chǎn)業(yè)，各國都在全力發(fā)展太陽(yáng)能光伏技術(shù)，將太陽(yáng)能光電開(kāi)發(fā)和利用作為一項可持續發(fā)展能源的重要戰略。中國太陽(yáng)能資源很豐富，政府對光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視，但太陽(yáng)能電池仍無(wú)法實(shí)現大規模的民用，其根本原因是光電轉化效率低和太陽(yáng)能電池成本過(guò)高。
銅基薄膜太陽(yáng)能電池是以銅基化合物作為光吸收層的薄膜電池，包括CuInSe2、CuInS2、Cu（ln，Ga）Se2、Cu2ZnSnS4及銅基中間帶薄膜電池等，銅基薄膜材料為直接帶隙半導體材料，光吸收系數高達10（5）cm-1，只需要1-2μm厚的薄膜就可以吸收大部分太陽(yáng)光，適合作為薄膜電池的光吸收層。銅基薄膜電池性能穩定，抗輻射能力強，光電轉化效率可達20%以上。高效率的銅基薄膜電池是采用真空技術(shù)制備的，制備成本較高，因此限制了它的廣泛應用，所以研究和開(kāi)發(fā)銅基薄膜的低成本制備技術(shù)是亟待解決的重要問(wèn)題。
《太陽(yáng)電池光吸收層銅基薄膜的制備技術(shù)研究》主要介紹了銅基薄膜的低成本制備技術(shù)，包括CuInSe2薄膜的電沉積制備技術(shù)，Cu（In，Ga）Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti摻雜CuGaS2中間帶薄膜材料的涂覆制備技術(shù)，還介紹了CriInS2薄膜的固態(tài)源硫化法制備技術(shù)。書(shū)中包含了國內外學(xué)者及著(zhù)者個(gè)人的研究工作，對從事銅基薄膜電池器件研制、生產(chǎn)和使用的專(zhuān)業(yè)人員有一定的參考價(jià)值。
銅基薄膜太陽(yáng)能電池是以銅基化合物作為光吸收層的薄膜電池，包括CuInSe2、CuInS2、Cu（ln，Ga）Se2、Cu2ZnSnS4及銅基中間帶薄膜電池等，銅基薄膜材料為直接帶隙半導體材料，光吸收系數高達10（5）cm-1，只需要1-2μm厚的薄膜就可以吸收大部分太陽(yáng)光，適合作為薄膜電池的光吸收層。銅基薄膜電池性能穩定，抗輻射能力強，光電轉化效率可達20%以上。高效率的銅基薄膜電池是采用真空技術(shù)制備的，制備成本較高，因此限制了它的廣泛應用，所以研究和開(kāi)發(fā)銅基薄膜的低成本制備技術(shù)是亟待解決的重要問(wèn)題。
《太陽(yáng)電池光吸收層銅基薄膜的制備技術(shù)研究》主要介紹了銅基薄膜的低成本制備技術(shù)，包括CuInSe2薄膜的電沉積制備技術(shù)，Cu（In，Ga）Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti摻雜CuGaS2中間帶薄膜材料的涂覆制備技術(shù)，還介紹了CriInS2薄膜的固態(tài)源硫化法制備技術(shù)。書(shū)中包含了國內外學(xué)者及著(zhù)者個(gè)人的研究工作，對從事銅基薄膜電池器件研制、生產(chǎn)和使用的專(zhuān)業(yè)人員有一定的參考價(jià)值。
作者簡(jiǎn)介: 王延來(lái)，2008年畢業(yè)于北京科技大學(xué)，獲得工學(xué)博士學(xué)位，2009年至今任職于內蒙古大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，副教授，碩士生導師，主要講授“半導體物理”“半導體器件物理”“材料科學(xué)基礎”等本科生課程及“物理電子學(xué)”碩士研究生課程。主要從事半導體材料、半導體器件及太陽(yáng)能電池材料等方面的科學(xué)研究工作。近年來(lái)主持和參與了國家自然科學(xué)基金、省部級基金等項目10余項，在MATERIALS LETTERS、MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING等國際期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文20余篇，獲得國家發(fā)明專(zhuān)利2項。
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