半導體器件物理（第二版）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘
2019-11-08 17:09
來(lái)源：京東
作者：京東
半導體器件物理（第二版）
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內容簡(jiǎn)介: 《半導體器件物理（第二版）》介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術(shù)。全書(shū)內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半導體結、結型場(chǎng)效應晶體管和金屬-半導體場(chǎng)效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽(yáng)電池及光電二極管、發(fā)光二極管和半導體激光器等。
《半導體器件物理（第二版）》可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)、光電子技術(shù)等專(zhuān)業(yè)的半導體器件物理相關(guān)課程的教材，也可供有關(guān)科研人員和工程技術(shù)人員參考。
《半導體器件物理（第二版）》可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)、光電子技術(shù)等專(zhuān)業(yè)的半導體器件物理相關(guān)課程的教材，也可供有關(guān)科研人員和工程技術(shù)人員參考。
作者簡(jiǎn)介:
目錄:從書(shū)序
第二版前言
第一版前言
主要符號表
第1章 半導體物理基礎
1．1 半導體中的電子狀態(tài)
1．1．1 周期性勢場(chǎng)
1．1．2 周期性勢場(chǎng)中電子的波函數布洛赫定理
1．1．3 周期性邊界條件
1．2 能帶
1．3 有效質(zhì)量
1．4 導帶電子和價(jià)帶空穴
1．4．1 金屬、半導體和絕緣體的區別
1．4．2 空穴
1．5 硅、鍺、砷化鎵的能帶結構
1．5．1 等能面
1．5．2 能帶圖
1．6 雜質(zhì)和缺陷能級
1．6．1 施主雜質(zhì)和施主能級 N型半導體
1．6．2 受主雜質(zhì)和受主能級 P型半導體
1．6．3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質(zhì)
1．6．4 深能級
1．6．5 缺陷能級
1．7 載流子的統計分布
1．7．1 狀態(tài)密度
1．7．2 費米分布函數與費米能級
1．7．3 能帶中的電子和空穴濃度
1．7．4 本征半導體
1．7．5 只有一種雜質(zhì)的半導體
1．7．6 雜質(zhì)補償半導體
1．7．7 簡(jiǎn)并半導體
1．8 載流子的散射
1．8．1 格波與聲子
1．8．2 載流子的散射過(guò)程
1．9 電荷輸運現象
1．9．1 漂移運動(dòng)、遷移率與電導率
1．9．2 擴散運動(dòng)和擴散電流
1．9．3 流密度、電流密度和電流方程
1．10 非均勻半導體中的自建電場(chǎng)
1．10．1 半導體中的靜電場(chǎng)和勢
1．10．2 愛(ài)因斯坦關(guān)系
1．10．3 非均勻半導體和自建電場(chǎng)
1．11 非平衡載流子
1．12 準費米能級
1．12．1 準費米能級的定義
1．12．2 修正的歐姆定律
1．13 復合機制
1．13．1 直接復合
1．13．2 通過(guò)復合中心的復合
1．14 表面復合和表面復合速度
1．15 半導體中的基本控制方程
習題
參考文獻
第2章 PN結
2．1 熱平衡PN結
2．1．1 PN結空間電荷區
2．1．2 電場(chǎng)分布與電勢分布
2．2 加偏壓的PN結
2．2．1 PN結的單向導電性
2．2．2 少數載流子的注入與輸運
2．3 理想PN結二極管的直流電流-電壓特性
2．4 空間電荷區復合電流和產(chǎn)生電流
2．4．1 正偏復合電流
2．4．2 反偏產(chǎn)生電流
2．5 隧道電流
2．6 溫度對PN結I-V特性的影響
2．7 耗盡層電容、求雜質(zhì)分布和變容二極管
2．7．1 C-V關(guān)系
2．7．2 求雜質(zhì)分布
2．7．3 變容二極管
2．8 PN結二極管的頻率特性
2．9 PN結二極管的開(kāi)關(guān)特性
2．9．1 電荷存儲效應和反向瞬變
2．9．2 階躍恢復二極管
2．10 PN結擊穿
習題
參考文獻
……
第3章 雙極結型晶體管
第4章 金屬-半導體結
第5章 結型場(chǎng)效應晶體管和金屬-半導體場(chǎng)效應晶體管
第6章 金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管
第7章 電荷轉移器件
第8章 半導體太陽(yáng)電池和光電二極管
第9章 發(fā)光二極管和半導體激光器
附錄
第二版前言
第一版前言
主要符號表
第1章 半導體物理基礎
1．1 半導體中的電子狀態(tài)
1．1．1 周期性勢場(chǎng)
1．1．2 周期性勢場(chǎng)中電子的波函數布洛赫定理
1．1．3 周期性邊界條件
1．2 能帶
1．3 有效質(zhì)量
1．4 導帶電子和價(jià)帶空穴
1．4．1 金屬、半導體和絕緣體的區別
1．4．2 空穴
1．5 硅、鍺、砷化鎵的能帶結構
1．5．1 等能面
1．5．2 能帶圖
1．6 雜質(zhì)和缺陷能級
1．6．1 施主雜質(zhì)和施主能級 N型半導體
1．6．2 受主雜質(zhì)和受主能級 P型半導體
1．6．3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質(zhì)
1．6．4 深能級
1．6．5 缺陷能級
1．7 載流子的統計分布
1．7．1 狀態(tài)密度
1．7．2 費米分布函數與費米能級
1．7．3 能帶中的電子和空穴濃度
1．7．4 本征半導體
1．7．5 只有一種雜質(zhì)的半導體
1．7．6 雜質(zhì)補償半導體
1．7．7 簡(jiǎn)并半導體
1．8 載流子的散射
1．8．1 格波與聲子
1．8．2 載流子的散射過(guò)程
1．9 電荷輸運現象
1．9．1 漂移運動(dòng)、遷移率與電導率
1．9．2 擴散運動(dòng)和擴散電流
1．9．3 流密度、電流密度和電流方程
1．10 非均勻半導體中的自建電場(chǎng)
1．10．1 半導體中的靜電場(chǎng)和勢
1．10．2 愛(ài)因斯坦關(guān)系
1．10．3 非均勻半導體和自建電場(chǎng)
1．11 非平衡載流子
1．12 準費米能級
1．12．1 準費米能級的定義
1．12．2 修正的歐姆定律
1．13 復合機制
1．13．1 直接復合
1．13．2 通過(guò)復合中心的復合
1．14 表面復合和表面復合速度
1．15 半導體中的基本控制方程
習題
參考文獻
第2章 PN結
2．1 熱平衡PN結
2．1．1 PN結空間電荷區
2．1．2 電場(chǎng)分布與電勢分布
2．2 加偏壓的PN結
2．2．1 PN結的單向導電性
2．2．2 少數載流子的注入與輸運
2．3 理想PN結二極管的直流電流-電壓特性
2．4 空間電荷區復合電流和產(chǎn)生電流
2．4．1 正偏復合電流
2．4．2 反偏產(chǎn)生電流
2．5 隧道電流
2．6 溫度對PN結I-V特性的影響
2．7 耗盡層電容、求雜質(zhì)分布和變容二極管
2．7．1 C-V關(guān)系
2．7．2 求雜質(zhì)分布
2．7．3 變容二極管
2．8 PN結二極管的頻率特性
2．9 PN結二極管的開(kāi)關(guān)特性
2．9．1 電荷存儲效應和反向瞬變
2．9．2 階躍恢復二極管
2．10 PN結擊穿
習題
參考文獻
……
第3章 雙極結型晶體管
第4章 金屬-半導體結
第5章 結型場(chǎng)效應晶體管和金屬-半導體場(chǎng)效應晶體管
第6章 金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管
第7章 電荷轉移器件
第8章 半導體太陽(yáng)電池和光電二極管
第9章 發(fā)光二極管和半導體激光器
附錄
京公網(wǎng)安備 11000002000088號
