納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

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內容簡(jiǎn)介:　　場(chǎng)發(fā)射冷陰極在顯示技術(shù)、微波能源及高頻電子等方面具有十分重要的應用?！都{米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗》基于作者多年來(lái)在納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極方面的工作積累，對該領(lǐng)域的發(fā)展歷程、理論基礎、設計模型與制備性能進(jìn)行了系統的介紹與討論，期望為新型納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極研發(fā)與器件應用提供指導與參考。
　　《納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗》主要包括以下內容：半導體場(chǎng)發(fā)射理論模型及其在納米體系下的場(chǎng)發(fā)射理論模型的適用性問(wèn)題；半導體量子結構增強場(chǎng)發(fā)射基本原理與思想；從實(shí)驗與理論兩方面系統探討了不同的量子結構（晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等）半導體薄膜的場(chǎng)電子發(fā)射特性、場(chǎng)發(fā)射耦合增強物理機制及其能譜特性。最后，對納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極器件的發(fā)展與應用進(jìn)行了展望。
　　《納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗》主要面向半導體材料、凝聚態(tài)物理與真空電子學(xué)方向的高年級本科生與研究生，也可供真空電子學(xué)、半導體納米材料、凝聚態(tài)理論、量子物理等領(lǐng)域的研究者參考。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:第1章 納米半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極概述
1．1 場(chǎng)發(fā)射顯示器發(fā)展歷程及相關(guān)技術(shù)
1．2 場(chǎng)電子發(fā)射基本原理
1．3 半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極發(fā)展概述
1．3．1 微尖錐陣列結構
1．3．2 一維納米陣列結構
1．3．3 半導體薄膜及發(fā)展
1．4 納米場(chǎng)發(fā)射材料
1．4．1 納米氮化物半導體場(chǎng)發(fā)射材料
1．4．2 納米氧化鋅場(chǎng)發(fā)射材料
1．4．3 納米碳管場(chǎng)發(fā)射材料
1．4．4 納米金剛石薄膜場(chǎng)發(fā)射材料
1．4．5 石墨烯場(chǎng)發(fā)射材料
1．4．6 其他場(chǎng)發(fā)射材料
1．5 納米場(chǎng)發(fā)射冷陰極器件應用
1．5．1 場(chǎng)發(fā)射共振隧穿二極管
1．5．2 場(chǎng)發(fā)射顯示器
1．5．3 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
1．5．4 場(chǎng)發(fā)射壓力傳感器
1．5．5 場(chǎng)發(fā)射微波器件
1．5．6 場(chǎng)發(fā)射光電探測器件
參考文獻

第2章 納米場(chǎng)發(fā)射理論
2．1 經(jīng)典F-N理論
2．1．1 金屬場(chǎng)發(fā)射
2．1．2 半導體場(chǎng)發(fā)射
2．2 納米場(chǎng)發(fā)射理論發(fā)展
2．3 納米寬帶隙半導體場(chǎng)發(fā)射理論
2．3．1 寬帶隙半導體能帶彎曲模型建立
2．3．2 強場(chǎng)下半導體能帶彎曲規律
2．3．3 寬帶隙半導體場(chǎng)發(fā)射能帶彎曲機制
2．4 納米晶半導體場(chǎng)發(fā)射理論
2．4．1 納米半導體場(chǎng)發(fā)射理論模型建立
2．4．2 半導體薄膜場(chǎng)發(fā)射納米增強效應研究
2．5 納米半導體場(chǎng)發(fā)射厚度效應機制
2．5．1 引言
2．5．2 納米半導體場(chǎng)發(fā)射厚度效應經(jīng)典模型
2．5．3 納米半導體場(chǎng)發(fā)射厚度效應的微觀(guān)機制分析
2．5．4 總結
參考文獻

第3章 單層納米薄膜半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極
3．1 單層場(chǎng)發(fā)射納米薄膜制備及表征方法
3．1．1 實(shí)驗襯底處理
3．1．2 場(chǎng)發(fā)射薄膜制備方法
3．1．3 納米薄膜的表征方法
3．2 GaN納米薄膜場(chǎng)發(fā)射基底效應
3．2．1 GaN納米薄膜的制備
3．2．2 GaN納米薄膜微結構及成分表征
3．2．3 不同襯底GaN納米薄膜場(chǎng)發(fā)射性能研究
3．3 納米薄膜場(chǎng)發(fā)射厚度效應
3．3．1 ZnO納米薄膜場(chǎng)發(fā)射厚度效應
3．3．2 SiC基GaN納米取向薄膜場(chǎng)發(fā)射厚度效應
3．3．3 Si基GaN納米取向薄膜場(chǎng)發(fā)射厚度效應
3．3．4 非晶GaN納米薄膜場(chǎng)發(fā)射厚度效應
3．4 摻雜對場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．4．1 摻雜對GaN電子結構的影響
3．4．2 Si摻雜對A1GaN薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．4．3 Si摻雜對GaN薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．4．4 摻雜對ZnO薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．5 晶體微結構調控薄膜場(chǎng)發(fā)射性能
3．5．1 BN薄膜相結構調控及其對場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．5．2 AlN薄膜取向控制及其對場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．5．3 GaN納米薄膜晶體微結構調控對場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．5．4 GaN納米薄膜場(chǎng)發(fā)射的結構調控效應
3．5．5 A1GaN混合取向納米薄膜制備及其結構增強場(chǎng)發(fā)射機理
3．6 表面修飾調控薄膜場(chǎng)發(fā)射性能
3．6．1 GaN納米取向薄膜的表面處理及對其場(chǎng)發(fā)射性能的影響
3．6．2 表面處理對AIGaN薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的影響
參考文獻

第4章 多層納米薄膜半導體場(chǎng)發(fā)射結構增強研究
4．1 引言
4．2 多層納米半導體場(chǎng)發(fā)射結構增強模型
4．2．1 量子自洽計算模型
4．2．2 場(chǎng)發(fā)射量子結構中能級及其電子積累
4．2．3 多層超薄膜場(chǎng)發(fā)射的結構增強效應
4．3 多層納米半導體場(chǎng)發(fā)射薄膜制備及結構調控效應
4．3．1 AlAs／GaAs量子結構對其場(chǎng)發(fā)射性能影響
4．3．2 AlN／GalN量子結構對其場(chǎng)發(fā)射性能影響
4．3．3 多層量子場(chǎng)發(fā)射陰極的量子結構增強
4．3．4 量子薄膜勢壘-勢阱相對高度對其場(chǎng)發(fā)射性能影響
4．3．5 量子與幾何結構耦合增強場(chǎng)發(fā)射性能研究
參考文獻

第5章 一維半導體場(chǎng)發(fā)射冷陰極
5．1 引言
5．2 場(chǎng)發(fā)射納米線(xiàn)制備及其結構表征
5．2．1 等離子體化學(xué)氣相系統簡(jiǎn)介
5．2．2 基于GaN粉末的場(chǎng)發(fā)射納米線(xiàn)制備
5．2．3 GaN納米線(xiàn)制備工藝及表征
5．3 納米線(xiàn)結構調控對其場(chǎng)發(fā)射的影響
5．3．1 GaN納米線(xiàn)場(chǎng)發(fā)射性能測試
5．3．2 GaN納米線(xiàn)成分、表面功函數及其對場(chǎng)發(fā)射性能的影響
5．3．3 熱效應對GaN納米線(xiàn)場(chǎng)發(fā)射的影響
5．4 Ga2O3還原法制備GaN納米線(xiàn)及其場(chǎng)發(fā)射特性
5．4．1 Ga203還原制備GaN納米線(xiàn)PECVD系統
5．4．2 基于Ga203粉末的場(chǎng)發(fā)射納米線(xiàn)制備
5．4．3 GaN納米線(xiàn)制備工藝及表征
5．4．4 GaN納米線(xiàn)工藝參數調控
5．4．5 GaN納米線(xiàn)薄膜場(chǎng)發(fā)射性能研究
參考文獻

第6章 納米半導體場(chǎng)發(fā)射能譜及其量子結構共振隧穿機制
6．1 引言
6．2 單層納米半導體場(chǎng)發(fā)射能譜多峰模型
6．2．1 考慮能帶彎曲及復雜鏡像勢的量子隧穿模型
6．2．2 半導體薄膜FEED的多峰特性
6．3 半導體量子結構共振隧穿場(chǎng)發(fā)射及其場(chǎng)發(fā)射能譜
6．3．1 AlInGaN量子結構模型及其極化特性
6．3．2 半導體量子結構薄膜共振隧穿場(chǎng)發(fā)射普適機制
6．3．3 量子結構中勢阱調控對場(chǎng)發(fā)射特性的影響
6．3．4 量子結構形狀對場(chǎng)發(fā)射特性的影響
參考文獻

第7章 結論與展望
7．1 納米半導體場(chǎng)發(fā)射理論研究
7．1．1 寬帶半導體場(chǎng)發(fā)射能帶彎曲理論
7．1．2 半導體納米晶場(chǎng)發(fā)射增強機制
7．1．3 半導體納米薄膜場(chǎng)發(fā)射厚度效應
7．1．4 半導體量子結構場(chǎng)發(fā)射增強機制
7．1．5 半導體場(chǎng)發(fā)射能量分布多峰機制
7．1．6 多層納米半導體薄膜量子隧穿場(chǎng)發(fā)射機制
7．2 納米半導體場(chǎng)發(fā)射實(shí)驗研究
7．2．1 納米半導體薄膜場(chǎng)發(fā)射的厚度效應
7．2．2 納米半導體場(chǎng)發(fā)射薄膜的晶體微結構調制增強
7．2．3 納米半導體量子結構增強場(chǎng)發(fā)射
7．2．4 量子結構耦合幾何結構納米半導體薄膜場(chǎng)發(fā)射
7．2．5 納米半導體場(chǎng)發(fā)射薄膜的摻雜、表面修飾、基底與成分調制改性研究
7．2．6 氮化物納米線(xiàn)的場(chǎng)發(fā)射性能研究
7．3 研究展望
7．3．1 場(chǎng)發(fā)射理論
7．3．2 場(chǎng)發(fā)射材料制備
7．3．3 新型場(chǎng)發(fā)射冷陰極器件
參考文獻

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