電子元器件權威技術(shù)指南（圖文版）（IEEE EDS 35周年特別推薦）簡(jiǎn)介，目錄書(shū)摘

編輯推薦:1.由美國電子設備學(xué)會(huì )（Electron Devices Society，簡(jiǎn)稱(chēng)EDS）和美國電氣和電子工程師協(xié)會(huì )（IEEE）聯(lián)合打造，**性高。
2.多位大師級的電子學(xué)專(zhuān)家傾力講解，影響力廣泛。
3.覆蓋多個(gè)電子學(xué)領(lǐng)域，內容豐富。
4.包含*新*前沿的電子學(xué)技術(shù)以及發(fā)展趨勢展望

內容簡(jiǎn)介:這本書(shū)是非常先進(jìn)的電子器件的簡(jiǎn)潔的指南，由EDS的67位專(zhuān)家成員撰寫(xiě)。在全書(shū)21章中，專(zhuān)家們分享了它們在電子器件各個(gè)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識。這些章節描述了各種各樣的電子器件，這種多樣性也正是EDS面臨的現實(shí)。來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界、政府部門(mén)的專(zhuān)家對本書(shū)也有諸多貢獻。作者來(lái)自五大洲，這是一個(gè)真正優(yōu)秀的團隊，包括了優(yōu)秀的管理者、年輕的工程師、知名名的大學(xué)教授和年輕的學(xué)者。編輯因此試圖保持明顯不同的風(fēng)格，以反應區域、背景和隸屬關(guān)系的差異。

作者簡(jiǎn)介:這本書(shū)是非常先進(jìn)的電子器件的簡(jiǎn)潔的指南，由EDS的67位專(zhuān)家成員撰寫(xiě)。在全書(shū)21章中，專(zhuān)家們分享了它們在電子器件各個(gè)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識。這些章節描述了各種各樣的電子器件，這種多樣性也正是EDS面臨的現實(shí)。來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界、政府部門(mén)的專(zhuān)家對本書(shū)也有諸多貢獻。作者來(lái)自五大洲，這是一個(gè)真正世界級的團隊，包括了**的管理者、年輕的工程師、著(zhù)名的大學(xué)教授和年輕的學(xué)者。編輯因此試圖保持明顯不同的風(fēng)格，以反應區域、背景和隸屬關(guān)系的差異。
大部分作者是EDS的14TAC（技術(shù)專(zhuān)業(yè)委員會(huì )，Technical Area Committee）的成員，這個(gè)專(zhuān)委會(huì )利用其專(zhuān)業(yè)知識幫助執行委員會(huì )和管理層做出戰略決策。EDS現在的TAC見(jiàn)表1。
1963年成立的IEEE（國際電子電氣工程師協(xié)會(huì )）脫胎于1884年成立的AIEE（美國電子工程師協(xié)會(huì )）和1912年成立的IRE(無(wú)線(xiàn)電工程師協(xié)會(huì ))。在晶體管發(fā)明后不久的1952年，IRE建立了“電子管和固態(tài)器件委員會(huì )”，在電子器件界頗有影響。1952年，改委員會(huì )更名為“IRE電子器件專(zhuān)家組”。隨著(zhù)AIEE和IRE的合并，在1964年成立了“IEEE電子器件組”，1976年該組織更名為EDS（IEEE電子器件學(xué)會(huì )）。

目錄:序
導言
對本書(shū)有貢獻者
致謝
介紹：發(fā)展歷史

第一部分：基本電子設備
1　雙極晶體管
John D． Cressler and Katsuyoshi Washio
1．1　動(dòng)機
1．2　pn結及其電子應用
1．3　雙極結晶體管及其電子應用
1．4　雙極晶體管的優(yōu)化
1．5硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管
參考文獻
2　MOSFETs
Hiroshi　Iwai， Simon Min Sze， Yuan Taur and Hei Wong
2．1　MOSFET介紹
2．2　MOSFET基礎
2．3　MOSFET演化
2．4　結束語(yǔ)
參考文獻
3　內存設備
Kinam　Kim and Dong Jin Jung
3．1　介紹
3．2　揮發(fā)性存儲器
3．3　非揮發(fā)性存儲器
3．4　MOS存儲展望
3．5　結束語(yǔ)
參考文獻
4　被動(dòng)元件
Joachim　N． Burghartz and Colin C． McAndrew
4．1　離散和集成的被動(dòng)元件
4．2　模擬IC和DRAM應用
4．3　案例研究----平面螺旋電感
4．4　集成電路中的寄生應用
參考文獻
5　新興設備
Supriyo　Bandyopadhyay， Marc Cahay and Avik W． Ghosh
5．1　不可充電開(kāi)關(guān)
5．2　硅的替代物碳和石墨烯電子學(xué)和分子電子學(xué)的興起
5．3　結束語(yǔ)
參考文獻

第二部分　電子設備和IC制造
6　電子材料
James　C． Sturm， Ken Rim， James S． Harris and Chung-Chih Wu
6．1　介紹
6．2　硅設備技術(shù)
6．3　化合物半導體設備
6．3．1　金屬半導體場(chǎng)效應晶體管（MESFETs）
6．3．2　高電子移動(dòng)性晶體管（HEMTs）
6．3．3　異質(zhì)結雙極晶體管（HBT）
6．3．4　光電器件

6．4　電子顯示
6．4．1　1930-2000年代：陰極射線(xiàn)管（CRT）
6．4．2　1990-2000年代：等離子平板顯示器（PDP）
6．4．3　1990年代-現在：有源矩陣液晶顯示器（AMLCD）和電泳墨水（E-ink）
6．4．4　2000年-現在：有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示器（AMOLED）

6．5　結束語(yǔ)
參考文獻
7　緊湊建模
Colin　C． McAndrew and Laurence W． Nagel
7．1　緊湊模型的角色
7．2　雙極晶體管緊湊建模
7．3　MOS晶體管緊湊建模
7．4　無(wú)源器件的緊湊建模
7．5　基準測試和實(shí)踐
參考文獻
8　計算機輔助設計（CAD）技術(shù)
David　Esseni， Christoph Jungemann， J¨urgen Lorenz， Pierpaolo Palestri，
Enrico　Sangiorgi and Luca Selmi
8．1　介紹
8．2　飄移擴散模型
8．3　微觀(guān)傳輸模型
8．4　數量傳輸模型
8．5　過(guò)程和設備仿真
參考文獻
9　電子設備、連接和電路的可靠性
Anthony　S． Oates， Richard C． Blish， Gennadi Bersuker and Lu Kasprzak
9．1　介紹和背景
9．2　設備可靠性描述
9．3　電路級可靠性描述
9．3．1　單事件翻轉引起的軟故障
9．3．2　IC中的機械應力效應
9．4　保證IC可靠性的微觀(guān)方法
參考文獻
10　半導體制造
Rajendra　Singh， Luigi Colombo， Klaus Schuegraf， Robert Doering and Alain Diebold
10．1　介紹
10．2　摘要
10．3　光刻和蝕刻
10．4　前端處理
10．5　后端處理
10．6　過(guò)程控制
10．7　裝配和測試
10．8　發(fā)展方向
參考文獻

第三部分　基于電子設備的應用
11　VLSI技術(shù)和電路
Kaustav　Banerjee and Shuji Ikeda
11．1　介紹
11．2　MOSFET擴展技術(shù)
11．3　低耗高速邏輯設計
11．4　縮放驅動(dòng)技術(shù)的改進(jìn)
11．5　低壓晶體管
11．6　相互連接
11．7　存儲
11．8　系統集成
參考文獻
12　混合信號技術(shù)和集成電路
Bin　Zhao and James A． Hutchby
12．1　介紹
12．2　擴展CMOS中的模擬/混合信號技術(shù)
12．3　數據轉換器IC
12．4　低耗顯示中的混合信號電路
12．5　圖像傳感器技術(shù)和電路
參考文獻
13　內存技術(shù)
Stephen　Parke， Kristy A． Campbell and Chandra Mouli
13．1　半導體內存歷史
13．2　主流半導體內存
13．2．1　DRAM
13．2．1　DRAM
13．2．2　NAND閃存
13．3　內存技術(shù)展望
13．3．1　磁化基器件
13．3．2　PCRAM器件
13．3．3　CBRAM器件

13．4　技術(shù)語(yǔ)
參考文獻
14　RF和微波半導體技術(shù)
Giovanni　Ghione， Fabrizio Bonani， Ruediger Quay and Erich Kasper
14．1　GaA和InP
14．2　硅和硅鍺
14．3　寬帶隙設備
參考文獻
15　功率設備和IC
Richard　K． Williams， Mohamed N． Darwish， Theodore J． Letavic and Mikael O¨ stling
15．1　功率設備和IC概觀(guān)
15．2　雙負載和高耗設備
15．3　MOSFET功率設備
15．4　高電壓和電源IC
15．5　寬帶隙功率設備
參考文獻
16　光伏設備
Steven　A． Ringel， Timothy J． Anderson， Martin A． Green， Rajendra Singh and Robert J． Walters
16．1　介紹
16．2　硅光伏
16．3　多晶硅薄膜光伏
16．4　3-4級化合物光伏
16．5　光伏展望
參考文獻
17　大區域電子
Arokia　Nathan， Arman Ahnood， Jackson Lai and Xiaojun Guo
17．1　薄膜太陽(yáng)能電池
17．1．1　簡(jiǎn)介
17．1．2　非晶、納米和微晶硅
17．1．3　碲化鎘（CdTe）
17．1．4　硫化物
17．1．5　有機物和聚合物
17．2　大區域影像
17．2．1　介紹和應用
17．2．2　成像結構
17．2．3　挑戰
17．2．4　未來(lái)展望和發(fā)展

17．3　平板顯示
參考文獻
18　微電子機械系統
Darrin　J． Young and Hanseup Kim
18．1　介紹
18．2　60年代----最早的微機器結構
18．3　70年代----集成的傳感器
18．4　80年代----表面微機器
18．5　90年代----各種領(lǐng)域的MEMS
18．6　二十一世紀----MEMS驅動(dòng)的多元化復雜系統
18．7　未來(lái)展望
參考文獻
19　真空裝置的應用
David　K． Abe， Baruch Levush， Carter M． Armstrong，
Thomas　Grant and William L． Menninger
19．1　介紹
19．2　行波裝置
19．3　調速管
19．4　誘導輸出管
19．5　正交場(chǎng)設備
19．6　陀螺裝置
參考文獻
20光電設備
Leda　Lunardi， Sudha Mokkapati and Chennupati Jagadish
20．1　介紹
20．2　半導體中的光發(fā)射
20．3　光電探測器
20．4　集成光電子學(xué)
20．4．1　集成的光源
20．4．2　集成的檢測器

20．5　光互連
20．6　結束語(yǔ)
參考文獻
21　后CMOS時(shí)代設備
Wilfried　Haensch
21．1　介紹
21．2　用于8納米節點(diǎn)的設備
21．3　新的材料和設備
21．3．1　碳納米管（CNTs）

21．4　結束語(yǔ)
參考文獻